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N型半导体中主要的载流子是( )。
选项:
A:杂质正离子;
B:自由电子;
C:空穴;
D:施主杂质
自由电子
载流子
正离子
发布时间:
2024-05-18 15:26:48
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1.
N型半导体中的多数载流子是( ). 选项: A、自由电子 B、空穴 C、杂质正离子 D、杂志负离子
2.
自由电子为 载流子,空穴为 载流子的杂质半导体称为N型半导体。
3.
自由电子为 载流子,空穴为 载流子的杂质半导体称为N型半导体。
4.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 选项: A、 自由电子 B、 空穴
5.
N型半导体中的多数载流子是( )。 选项: A:自由电子 ; B:空穴 ; C:离子; D:杂质
6.
在N型半导体中,多数载流子是 选项: A:自由电子 B:空穴 C:离子 D:杂质
7.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是 选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
8.
P型半导体中,少数载流子是:选项: A:自由电子; B:空穴; C:带负电的杂质离子; D:带正电的杂质离子
9.
在N型半导体中,多数载流子是()。选项: A:电子; B:空穴; C:离子; D:杂质
10.
在N型半导体中,多数载流子是( )。 选项: A: 电子 B: 空穴 C: 离子 D: 杂质
11.
施主杂质给半导体提供的载流子是 选项: A、电子 B、空穴 C、光子 D、中微子
12.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体依靠导带电子导电。; F:p型半导体依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。; K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
13.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项: A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
14.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:理想情况下,纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下,杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
15.
杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是( )。 选项: A、自由电子 B、空穴 C、多子 D、少子
16.
N型半导体中自由电子是少数载流子,空穴是多数载流子。( )
17.
5. 在N型半导体中,多数载流子是 ( ) A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
18.
P型半导体中,少数载流子是()。 选项: A: 正负电荷 B: 杂质 C: 电子 D: 空穴 E: 杂质 F: 电子 G: 空穴 H:C
19.
在P型半导体中,多数载流子是()。 选项: A:电子; B:空穴; C:离子; D:杂质
20.
在P型半导体中,多数载流子是()。选项: A:电子; B:空穴; C:离子; D:杂质
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