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- 1.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 2.随着温度的升高，p型半导体的费米能( ) 选项： A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
- 3.p型半导体的受主能级，在能级结构中处于选项： A:满带中; B:导带中; C:禁带中，接近导带底部。; D:禁带中，接近满带顶部。
- 4.在一个能带中，部分能级被电子所占据。这种能带中的电子具有导电性，称为： 选项： A、价带 B、禁带 C、导带 D、满带
- 5. p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于选项： A:禁带中，但接近满带顶 B:禁带中，但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
- 6.在半导体的能带结构中，电子填充的最高的满带称为____。 选项： A:导带 B:允带 C:价带 D:禁带
- 7.能带和能带间不能有电子填充的叫 选项： A:禁带; B:导带; C:价带; D:空带
- 8.室温下，对于一块p型半导体，如 （1）向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; （2）向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____； （3）升高温度，费米能级将向 移。
- 9.与绝缘体比较，半导体能带结构的特点是选项： A:满带与导带重合; B:禁带宽度较宽; C:禁带宽度较窄; D:以上都是错的
- 10.晶体中没有被电子占满的能带叫做 。 选项： A: 价带 B: 导带 C: 禁带39 D: 满带
- 11.电子不能在禁带排布，但是可以越过禁带，从价带跃迁到导带。（ ）选项： A:对 B:错
- 12.n型半导体，随着掺杂浓度减少，费米能级（ ）。选项： A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
- 13.当光子能量低于半导体禁带宽度时，电子仍然可以吸收光子能量从价带跃迁到导带。选项： A:对 B:错
- 14.禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（ ）。 选项： A、和 B、差 C、积 D、商
- 15.对于非简并n型半导体，如果杂质浓度一定，则随着温度的升高，EF将逐渐远离（ ）。 选项： A、禁带中央 B、导带底 C、价带顶 D、受主能级
- 16.根据能带理论，绝缘体有满带和空带，且禁带宽度大；半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄? 错误正确
- 17.在满带之上，能量较高，且可以是部分填充电子或全空的能带（ ）。 选项： A:价带 B:导带 C:禁带 D:空带
- 18.载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。选项： A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
