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- 1.以下关于能带说法正确的是 选项： A、价带一定是满带 B、导带一定是空带 C、能带和能带间不能有电子 D、禁带宽度指的是价带到导带的距离
- 2. p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于选项： A:禁带中，但接近满带顶 B:禁带中，但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
- 3.电子占据了一个能带中所有的状态,称该能带为 选项： A、空带 B、导带 C、满带 D、带隙
- 4.p型半导体的受主能级，在能级结构中处于选项： A:满带中; B:导带中; C:禁带中，接近导带底部。; D:禁带中，接近满带顶部。
- 5.对于金属，所有价电子所处的能带就是导带
- 6.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 7.绝缘体的导电性差，是因为选项： A:价带为满带; B:禁带宽度大; C:禁带宽度小; D:价带为导带
- 8.下列哪种材料的价带是满带，但禁带宽度为零，价带和较高的空带相交叠，满带中的电子能占据空带（ ）。选项： A:Ge B:Si C:Mg D:SiC
- 9.对于金属，所有价电子所处的能带就是导带选项： A:正确; B:错误
- 10.根据能带结构,原子最外层能带为满带,且满带与空带间具有较宽禁带的材料为( )。 选项： A、导体 B、半导体 C、绝缘体 D、不确定
- 11.不能填充电子的能区称为……… ( )选项： A:满带 B:空带 C:禁带 D:导带
- 12.半导体中载流子电子浓度等于（ ） 选项：A、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率 B、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果 C、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积 D、B的结果除以晶体体积
- 13.价带可以是选项： A:空带. B:满带. C:不满带. D:禁带.
- 14.根据能带理论，绝缘体有满带和空带，且禁带宽度大；半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄? 错误正确
- 15.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）选项： A:施主能级，导带底; B:施主能级，价带顶; C:受主能级，导带底; D:受主能级，价带顶
- 16.载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。选项： A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
- 17.与绝缘体比较，半导体能带结构的特点是选项： A:满带与导带重合; B:禁带宽度较宽; C:禁带宽度较窄; D:以上都是错的
