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- 1.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 A: P沟道耗尽型 B: P沟道增强型 C: N沟道耗尽型 D: N沟道增强型
- 2.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
- 3.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 4.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道增强型; B:P沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:N沟道耗尽型
- 5.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
- 6.当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
- 7.当栅源电压Vgs为 0V 时, _______MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
- 8.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.P 沟道耗尽型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道增强型
- 9.N沟道耗尽型MOS管漏极电流为0时，栅源电压为负值。
- 10.当栅源电压为0V时,【】MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流
- 11.当栅源电压大于开启电压时N沟道增强型MOS管形成导电沟道
- 12.以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）: N沟道增强型MOS管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道耗尽型MOS管/#/结型场效应管
- 13.以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）选项： A:N沟道增强型MOS管 B:P沟道增强型MOS管 C:结型场效应管 D:P沟道耗尽型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管
- 14.栅源之间加正向电压可以工作在恒流区的场效应管有以下哪几种 ( )): N沟道增强型MOS管/#/N沟道结型场效应管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道结型场效应管/#/P沟道耗尽型MOS管
- 15.栅源之间加正向电压可以工作在恒流区的场效应管有以下哪几种 ( ))选项： A:N沟道结型场效应管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:P沟道增强型MOS管 E:N沟道耗尽型MOS管 F:P沟道耗尽型MOS管
- 16.当vGS为0时，_____（a. N沟道耗尽型 b. N沟道增强型 c. P沟道耗尽型 d. P沟道增强型）MOS管存在导电沟道，在正的vGS电压作用下，可以有更大的漏极电流
- 17.结型场效应管和增强型MOS管的区别在于：即使栅源电压为零，结型场效应管的导电沟道 。
- 18.耗尽型MOS管在栅源偏压为0时导电能力最强。A.正确B.错误
- 19.以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是（ ）。 选项： A:可分为P沟道和N沟道 B:当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的，称为耗尽型 C:对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型 D:在电力MOSFET中，N沟道增强型器件较多
- 20.N沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )
