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- 1.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.P 沟道耗尽型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道增强型
- 2.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 3.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
- 4.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:N沟道耗尽型; B:N沟道增强型; C:P沟道耗尽型; D:P沟道增强型
- 5.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、P沟道增强型
- 6.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道耗尽型; B:N沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:P沟道增强型
- 7.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
- 8.当vGS为0时，_____（a.N沟道耗尽型b.N沟道增强型c.P沟道耗尽型d.P沟道增强型）MOS管存在导电沟道，在正的vGS电压作用下，可以有更大的漏极电流。
- 9.JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时________导电沟道，而增强型MOS管则________导电沟道。A、存在B、不存在
- 10.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
- 11.当栅源电压大于开启电压时N沟道增强型MOS管形成导电沟道
- 12.N沟道耗尽型MOS管漏极电流为0时，栅源电压为负值。
- 13.以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）选项： A:N沟道增强型MOS管 B:P沟道增强型MOS管 C:结型场效应管 D:P沟道耗尽型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管
- 14.绝缘栅型场效应管有哪几类（）。 N沟道增强型MOS管 N沟道不变型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 P沟道增强型MOS管 选项：A、N沟道增强型MOS管B、N沟道不变型MOS管C、N沟道耗尽型MOS管D、P沟道增强型MOS管
- 15.栅源之间加正向电压可以工作在恒流区的场效应管有以下哪几种 ( ))选项： A:N沟道结型场效应管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:P沟道增强型MOS管 E:N沟道耗尽型MOS管 F:P沟道耗尽型MOS管
- 16.15．如右图所示：该场效应管为 （） 。A.P沟道耗尽型MOS B.N沟道JFET C.N沟道增强型MOS选项： A:P沟道耗尽型MOS ; B:N沟道JFET ; C:N沟道增强型MOS; D:/
- 17.06．如右图所示：该场效应管为 A 。A.P沟道耗尽型MOS B.N沟道JFET C.N沟道增强型MOS选项： A:P沟道耗尽型MOS ; B:N沟道JFET; C:N沟道增强型MOS; D:/
