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- 1.栅源之间加正向电压可以工作在恒流区的场效应管有以下哪几种 ( ))选项： A:N沟道结型场效应管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:P沟道增强型MOS管 E:N沟道耗尽型MOS管 F:P沟道耗尽型MOS管
- 2.uGS=0时可工作在恒流区的场效应管有______。 选项： A、N沟道结型场效应管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、P沟道增强型MOS管 E、N沟道耗尽型MOS管 F、P沟道耗尽型MOS管
- 3.以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）选项： A:N沟道增强型MOS管 B:P沟道增强型MOS管 C:结型场效应管 D:P沟道耗尽型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管
- 4.结型场效应管的类型有（）。 选项： A、N沟道结型场效应管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、P沟道增强型MOS管 E、N沟道耗尽型MOS管 F、P沟道耗尽型MOS管
- 5.场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
- 6.某场效应管的转移特性如图所示，该管为( )。选项： A:P沟道增强型MOS管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:N沟道耗尽型MOS管
- 7.某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。 选项： A:P沟道增强型MOS管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:N沟道耗尽型MOS管
- 8.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( )A、P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管
- 9.已知某场效应管的转移特性曲线如图所示,则该管是()。 选项： A、N沟道增强型MOS管 B、N沟道耗尽型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、P沟道耗尽型MOS管
- 10.已知某MOS场效应管的转移特性如图2所示,试判断该场效应管的类型为( )A、N沟道增强型MOS场效应管B、N沟道耗尽型MOS场效应管C、P沟道增强型MOS场效应管D、P沟道耗尽型MOS场效应管
- 11.某FET的转移特性如图所示,其中漏极电流的假定正向是它的实际方向。试问它是哪种类型的FET?( )A.N沟道增强型MOS场效应管B.N沟道结型场效应管C.N沟道耗尽型MOS场效应管D.P沟道增强型MOS场效应管E.P沟道结型场效应管F.P沟道耗尽型MOS场效应管
- 12.结型场效应管的类型有（）。 选项： A、AN沟道结型场效应管 B、BP沟道结型场效应管 C、CN沟道增强型MOS管 D、DP沟道增强型MOS管 E、EN沟道耗尽型MOS管 F、FP沟道耗尽型MOS管
- 13.N沟道增强型MOS场效应管与N沟道耗尽型MOS管有何不同。
- 14.关于MOS管的临界电压，下列说法正确的是（ ）选项： A:N沟道增强型MOS管的开启电压大于零 B:P沟道增强型MOS管的开启电压小于零 C:N沟道耗尽型MOS管的夹断电压小于零 D:P沟道耗尽型MOS管的夹断电压小于零
- 15.关于MOS管的临界电压，下列说法正确的是（ ） 选项： A、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压小于零 B、P沟道增强型MOS管的开启电压小于零 C、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压小于零 D、N沟道增强型MOS管的开启电压大于零
- 16.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:N沟道耗尽型; B:N沟道增强型; C:P沟道耗尽型; D:P沟道增强型
- 17.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 A: P沟道耗尽型 B: P沟道增强型 C: N沟道耗尽型 D: N沟道增强型
- 18.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 19.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
- 20.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 21.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、P沟道增强型
