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当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
电压
导电
发布时间:
2024-04-21 08:25:43
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1.
当栅源电压为0V时,【】MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流
2.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
3.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项: A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
4.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。选项: A:P沟道耗尽型; B:N沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:P沟道增强型
5.
当栅源电压为0V时,()MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型
6.
当栅源电压为0V时,()MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
7.
当栅源电压Vgs为 0V 时, _______MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
8.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.P 沟道耗尽型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道增强型
9.
N沟道耗尽型MOS管漏极电流为0时,栅源电压为负值。
10.
N沟道增强型MOS管的栅源电压为正时,能控制漏极电流。()
11.
当栅源电压大于开启电压时N沟道增强型MOS管形成导电沟道
12.
JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时________导电沟道,而增强型MOS管则________导电沟道。A、存在B、不存在
13.
当vGS为0时,_____(a. N沟道耗尽型 b. N沟道增强型 c. P沟道耗尽型 d. P沟道增强型)MOS管存在导电沟道,在正的vGS电压作用下,可以有更大的漏极电流
14.
当vGS为0时,_____(a.N沟道耗尽型b.N沟道增强型c.P沟道耗尽型d.P沟道增强型)MOS管存在导电沟道,在正的vGS电压作用下,可以有更大的漏极电流。
15.
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。选项: A:正确; B:错误
16.
【判断题】耗尽型MOS管在栅源电压 为正或负时均能实现压控电流的作用
17.
电力MOSFET的导通原理是: 选项: A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。
18.
中国大学MOOC: N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压,而栅漏电压小于开启电压时,该MOS管工作在恒流区。( )
19.
N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压,而栅漏电压小于开启电压时,该MOS管工作在恒流区。( ) 选项: A、正确 B、错误
20.
在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中, ___________放大电路电压增益小于1接近于1, 输入输出电压同相, 有电压跟随作用;___________放大电路电压增益较高, 输入输出电压反相;___________放大电路输入输出电压同相, 有电流跟随作用;___________放大电路输出电阻最小;___________放大电路输入电阻最小。 选项:A、共源, 共漏, 共栅, 共漏, 共栅B、共漏, 共源, 共栅, 共漏, 共栅C、共漏, 共栅, 共源, 共漏, 共栅D、共漏, 共栅, 共漏, 共源, 共栅
21.
以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区? ( ): N沟道增强型MOS管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道耗尽型MOS管/#/结型场效应管
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