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半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动,随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。( )
选项:
A:对
B:错
发布时间:
2024-06-15 21:10:02
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1.
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: 选项: A、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B、费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
2.
n型半导体,随着掺杂浓度减少,费米能级( )。选项: A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
3.
Au在Si半导体中是有效的复合中心,既能起施主作用,又能起受主作用。但是在n型Si中,只有( )起作用选项: A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
4.
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于选项: A:禁带中,但接近满带顶 B:禁带中,但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
5.
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。( ) 选项: A、对 B、错
6.
已知Si中掺有硼杂质,且掺杂浓度为1017/cm3,则这是 型半导体,该半导体的费米能级在禁带中线的 选项: A:N,上方; B:P,上方; C:P,下方; D:N ,下方
7.
对于N型半导体,随着掺杂浓度增大,费米能级()
8.
电子不能在禁带排布,但是可以越过禁带,从价带跃迁到导带。( )选项: A:对 B:错
9.
随着温度升高,半导体的电阻率一定升高 ( ) 选项: A:对 B:错
10.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是选项: A:温度; B:杂质浓度; C:半导体的材料种类; D:半导体的禁带宽度
11.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
12.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
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