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GaN是间接带隙半导体。
半导体
间接
发布时间:
2024-03-30 08:18:37
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1.
GaN 是间接带隙半导体发光材料。A.正确B.错误
2.
简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。
3.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
4.
锌黄锡矿型铜锌锡硫属于( )半导体,带隙约为( )。选项: A:间接带隙,1.0 eV左右; B:直接带隙, 1.0 eV左右; C:间接带隙, 1.45-1.50 eV; D:直接带隙, 1.45-1.50 eV
5.
砷化镓和磷化铟属于间接带隙半导体。
6.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
7.
GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。()
8.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
9.
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
10.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。
11.
CdTe是一种II- VI族化合物半导体,为( )带隙材料。(填“直接”或“间接”)
12.
砷化稼是直接能隙半导体,硅和锗是间接能隙半导体。( )选项: A:对 B:错
13.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。选项: A:正确; B:错误
14.
砷化镓是直接带隙半导体材料选项: A:对 B:错
15.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( )
16.
从能带结构上来看,砷化镓材料属于____________________带隙半导体。
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