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GaN 是间接带隙半导体发光材料。
A:正确
B:错误
错误
半导体
光材料
发布时间:
2024-03-30 08:18:37
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相关试题
1.
GaN是间接带隙半导体。
2.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。选项: A:正确; B:错误
3.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。
4.
制作发光器件的主要材料是: 选项: A、Si B、Ge C、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 D、间接带隙半导体材料
5.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
6.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
7.
硅是间接带隙半导体材料。选项: A:对 B:错
8.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( )选项: A:对 B:错
9.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
10.
LED的制作只能采用直接带隙半导体材料。 选项: A:正确 B:错误
11.
以下几种材料为宽禁带半导体的是A.SiB.GeC.GaAsD.GaN
12.
以下几种材料为宽禁带半导体的是()A.SiB.GeC.GaAsD.GaN
13.
砷化镓是直接带隙半导体材料
14.
下列说法中正确的是( )。选项: A:要使LED发光,有源层的半导体材料必须是间接带隙材料。 B:发磷光的材料往往含有杂质并在能隙附近建立了施主能级。 C:材料的折射率是材料固有的性质,不会因外界条件的改变而改变。 D:对于激光器,三能级系统比四能级系统工作效率更高。
15.
以下几种材料为宽禁带半导体的是选项: A:Si; B:Ge; C:GaAs; D:GaN
16.
已知半导体材料GaAs的带隙Eg=1.43eV,则由该材料组成的半导体材料的发射波长是 微米。
17.
下面哪几种属于宽禁带半导体材料选项: A:Si; B:SiC; C:GaN; D:ZnO
18.
砷化镓是直接带隙半导体材料选项: A:对 B:错
19.
(多选)以下的半导体材料中,_____为直接带隙半导体材料选项: A:Si; B:Ge ; C:GaAs; D:ZnO
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