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杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
选项:
A:正确;
B:错误
半导体
浓度
载流子
发布时间:
2024-03-30 08:19:42
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1.
杂质半导体中少数载流子浓度()。 选项: A、小于本征半导体载流子浓度 B、小于等于本征半导体载流子浓度 C、大于本征半导体载流子浓度 D、等于本征半导体载流子浓度
2.
杂质半导体中的少数载流子浓度大于本征半导体中的载流子浓度。( ) 选项: A:正确 B:错误
3.
杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度
4.
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 选项: A、大于 B、等于 C、小于
5.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
6.
杂质半导体少数载流子的浓度与本征半导体载流子的浓度一样选项: A:对 B:错
7.
关于本征半导体,下列说法哪些是正确的?选项: A:本征半导体的载流子浓度来源于本征激发; B:本征半导体,电子浓度等于空穴浓度; C:本征半导体的载流子浓度与温度无关; D:一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小
8.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:掺杂工艺
9.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺
10.
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是选项: A:温度; B:杂质浓度; C:半导体的材料种类; D:半导体的禁带宽度
11.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 ; B:掺杂浓度 ; C:晶体材料 ; D:杂质类型
12.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 B:掺杂工艺 C:掺杂浓度 D:晶体缺陷
13.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
14.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 选项: A、 温度 B、 掺杂工艺 C、 掺杂浓度 D、 晶体缺陷
15.
P型半导体中的多数载流子是();N型半导体中的多数载流子是();杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()[掺杂的浓度,温度]半导体材料中的载流子浓度越高,材料的导电性能越()[好,差]
16.
在杂质半导体中多数载流子的数量主要与( )有关。选项: A:掺杂浓度 B:温度 C:半导体材料类型 D:杂质材料类型
17.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 B:掺杂工艺 C:杂质浓度 D:光照
18.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____选项: A:温度; B:杂质浓度; C:掺杂工艺; D:无
19.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷; B:温度; C:掺杂浓度 ; D:晶格缺陷
20.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
21.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项: A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
22.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
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