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- 1.若一个增强型N沟道MOS管，开启电压为3V，源极电位为0V，栅极电位为5V，漏极电位为______时，工作在可变电阻区。 选项： A、1V B、3V C、5V D、7V
- 2.某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。选项： A:P沟道管，工作在可变电阻区; B:N沟道管，工作在放大区; C:P沟道管，工作在放大区; D:N沟道管，工作在可变电阻区
- 3.某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。选项： A:P沟道管，工作在可变电阻区; B:N沟道管，工作在放大区; C:P沟道管，工作在截止区; D:N沟道管，工作在截止区
- 4.某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。选项： A:N沟道增强型管，工作在可变电阻区; B:N沟道耗尽型管，工作在放大区; C:P沟道增强型管，工作在截止区; D:P沟道耗尽型管，工作在放大区
- 5.某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。A.N 沟道增强型管，工作在可变电阻区B.N 沟道耗尽型管，工作在放大区C.P 沟道增强型管，工作在截止区D.P 沟道耗尽型管，工作在放大区
- 6.已知Uab=5V，Ubc=3V，如果以b点为参考点，则a、b、c三点的电位为（ ）。选项： A:a点电位为5V，b点电位为0V,C点电位为3V。 B:a点电位为8V，b点电位为3V,C点电位为0V。 C:a点电位为5V，b点电位为0V,C点电位为-3V。 D:a点电位为0V，b点电位为-5V,C点电位为-8V。
- 7.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 8.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
- 9.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道增强型; B:P沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:N沟道耗尽型
- 10.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道耗尽型; B:N沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:P沟道增强型
- 11.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流选项： A:P沟道耗尽型; B:P沟道增强型; C:N沟道耗尽型; D:N沟道增强型
- 12.当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型
- 13.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
- 14.当栅源电压Vgs为 0V 时, _______MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
- 15.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.P 沟道耗尽型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道增强型
- 16.若P沟道结型场效应管工作在放大状态，则栅极电位（ ）于源极电位。
