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从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。
选项:
A:对
B:错
半导体
导体
能级
发布时间:
2024-05-16 23:08:01
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1.
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。( ) 选项: A、对 B、错
2.
半导体量子点与其体材的能带有所不同:选项: A:禁带宽度展宽了; B:禁带宽度缩小了; C:禁带宽度不变; D:导带为分立能级; E:导带、价带均为连续能级; F:导带、价带均为分立能级
3.
半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。选项: A:对 B:错
4.
n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
5.
当光子能量低于半导体禁带宽度时,电子仍然可以吸收光子能量从价带跃迁到导带。选项: A:对 B:错
6.
光子流密度与半导体禁带宽度密切相关,随着禁带减小,光子流密度急剧减小。( )选项: A:对 B:错
7.
p型半导体的受主能级,在能级结构中处于选项: A:满带中; B:导带中; C:禁带中,接近导带底部。; D:禁带中,接近满带顶部。
8.
与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是选项: A:满带与导带重合; B:禁带宽度较宽; C:禁带宽度较窄; D:以上都是错的
9.
根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄? 正确|错误
10.
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。()
11.
中国大学MOOC: 根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄
12.
n型半导体,随着掺杂浓度减少,费米能级( )。选项: A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
13.
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于选项: A:禁带中,但接近满带顶 B:禁带中,但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
14.
导带的禁带宽度比半导体的更窄。所以其导电能力更好。 选项: A:正确 B:错误
15.
对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,随着平均原子序数的增加( )。选项: A:禁带宽度增大; B:禁带宽度变小; C:最低导带极值从布里渊区中心移向边界; D:最低的导带极值从布里渊区中心不变
16.
异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的选项: A:对 B:错
17.
P型半导体带正电,N型半导体带负电。( ) 选项: A、错 B、对
18.
已知Si中掺有硼杂质,且掺杂浓度为1017/cm3,则这是 型半导体,该半导体的费米能级在禁带中线的 选项: A:N,上方; B:P,上方; C:P,下方; D:N ,下方
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