请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 搜题小帮手 官方老师解答 )
答案：
以下文字与答案无关
提示：有些试题内容 显示不完整,文字错误 或者 答案显示错误等问题，这是由于我们在扫描录入过程中 机器识别错误导致,人工逐条矫正总有遗漏，所以恳请 广大网友理解。
相关试题
- 1.以下哪种情况下，半导体为N型的？选项： A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
- 2.对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。
- 3.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？? 通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。
- 4.当一种半导体同时掺入施主杂质和受主杂质时，施主杂质和受主杂质之间有相互抵消的作用，这种现象称为 ____。
- 5.硅在砷化镓中是施主杂质还是受主杂质 选项： A、施主杂质 B、受主杂质 C、既可以表现为施主杂质，也可以表现为受主杂质 D、既不表现为施主杂质，也不表现为受主杂质
- 6.p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。选项： A:正，电离施主杂质; B:正，电离施主杂质和空穴; C:负，电离受主杂质; D:负，电离受主杂质和电子
-
7.GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。(
) - 8.已知Si中只含施主杂质ND=1015cm-3，现在40K下测得电子浓度为1012cm-3，试估算施主杂质的电离能。
- 9.p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 选项： A、正，电离施主杂质 B、正，电离施主杂质和空穴 C、负，电离受主杂质 D、负，电离受主杂质和电子
- 10.中国大学MOOC: 3、掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。
- 11.P型半导体中的掺杂杂质是: 选项： A、施主 B、受主
- 12.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）? 施主能级，导带底|施主能级，价带顶|受主能级，导带底|受主能级，价带顶
- 13.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）选项： A:施主能级，导带底; B:施主能级，价带顶; C:受主能级，导带底; D:受主能级，价带顶
- 14. 施主杂质电离后向半导体导带提供（） 选项： A、 空穴 B、 电子 C、 0 D、 00
- 15.将三价的硼作为杂质参杂到硅半导体中， 以下叙述正确的是（ ）。选项： A:硼为施主杂质。; B:硼为受主杂质。; C:形成P型半导体。; D:形成N型半导体。
- 16.如果杂质在化合物半导体中既有施主作用又有受主作用，则这种杂质称为( )。 选项： A、陷阱 B、双性杂质 C、复合中心 D、中性杂质
- 17.同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数是乙的3/4，mn*/m0的值是乙的2倍，那么用类氢模型计算的结果是（）。A 甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B 甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C 甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D 甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8选项： A:A; B:B; C:C; D:D
- 18.施主杂质浓度为1013cm-3的n型硅,计算在400k杂质完全电离时的多子浓度、少子浓度、费米能级的位置。
- 19.将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。 选项： A、施主 B、受主 C、陷阱 D、复合中心
