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- 1.室温下，半导体 Si 中掺硼的浓度为 1014 cm－3 ，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3 的磷，则电子浓度 约为( )，空穴浓度为( )，费米能级( )；将该半导体升温至 570K，则多子浓度 约为( )，少子浓度为( )，费米能级（ I ）。（已知： 室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时， ni≈2×1017 cm－3） 选项： A: 1014cm－3 B: 1015cm－3 C: 1.1 D: 2.25×105 E: 1.2×1015cm－3 F: 2×1017cm－3 G: 高于 H: 低于
- 2.某一处于热平衡状态下的非简并半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3，当温度为300 K时杂质已全部电离，已知本征载流子浓度为ni=1015 cm-3，则电子和空穴浓度分别为（ ） 选项： A、n0=2×1015 cm-3，p0=1×1017 cm-3 B、n0=5×1017cm-3，p0=2×1012 cm-3 C、n0=5×1017 cm-3，p0=2×1015 cm-3 D、n0=2×1015 cm-3，p0=5×1015 cm-3
- 3.某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为（）。 选项： A、2×10^17cm^-3 B、3×10^16cm^-3 C、1.7×10^17cm^-3 D、不确定
- 4.单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（ ）。A.1.34×109/cm3B.6.7×108/cm3C.2.2×109/cm3D.1.1×109/cm3
- 5. 某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为 （ ）。 选项： A:2×10^17cm^-3 ; B:3×10^16cm^-3 ; C:1.7×10^17cm^-3; D:不确定
- 6.1. 某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为 cm^-3
- 7.超声波治疗采用连续波固定法时,其超声波强度最大不超过 选项： A: 0.l~0.2w/cm2 B: 0.3~0.4w/cm2 C: 0.5~0.8w/cm2 D: 0.4~0.5w/cm2 E: 0.8~1.Ow/cm2
- 8.[单选题]①非晶硅的电子迁移率为 A A.0.5~1cm2/V*s B B.30~300 cm2/V*s C C.600~700 cm2/V*s D D.5~10 cm2/V*s
- 9.蜡疗中常用的蜡饼厚度为（） 选项： A:0.5-1cm B:1-2cm C:2-3cm D:3-4cm
- 10.含Fe3＋浓度为500μg/L的溶液显色后在波长480nm处用2cm吸收池测得吸光度A＝，则其摩尔吸收系数为( )。A、×103L/（mol·cm）B、×103L/（mol·cm）C、×104L/（mol·cm）D、×104L/（mol·cm）
- 11.蜡疗中常用的蜡饼厚度为（ ） 选项： A、0.5-1cm B、1-2cm C、2-3cm D、3-4cm E、4-5cm
- 12.硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度 N= 8.8×1018/cm3,计算300 K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5 eV/K）（ ） 选项： A、2×1014/cm3 B、1×1014/cm3 C、1.65×1014/cm3 D、3.3×1014/cm3
- 13.蜡疗中常用的蜡饼厚度为（ ）选项： A:0.5-1cm; B:1-2cm; C:2-3cm; D:3-4cm; E:4-5cm
- 14. 超声波采用移动法时其移动速度通常为每秒( ) 选项： A、 0、5~1Cm B、 1~2Cm C、 2~3Cm D、 3~3、5Cm E、 2.5~3Cm
- 15.肛管的长度为 选项： A、0．5cm B、 1～2 cm C、3～4 cm D、 4～5 cm
- 16.超声波治疗采用连续波固定法时,其超声波强度最大不超过( ) 选项： A: 0.1~0.2W/cm2 B: 0.3~0.4W/cm2 C: 0.5~0.8W/cm2 D: 0.8~1.0W/cm2 E: 0.4~0.5W/cm2
