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相关试题
- 1.计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
- 2.已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010 cm-3，试求掺磷浓度为1.5´1013 cm-3，掺硼浓度为1.0´1013 cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。( ) 选项： A、n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV B、n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV C、n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV D、n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
- 3.计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
- 4.计算(1)掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅,在室温(300K)时的电子n0和空穴浓度p0,其中本征载流子浓度n i=2×1010个/cm3。(2)如果在(1)中掺入NA=5×1014个/cm3的受主,那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少?(3)若在(1)中掺入NA=1×1015个/cm3的受主,那么电子n0和空穴浓度p0又为多少?
- 5.含受主浓度为8.0×106cm-3和施主浓度为7.25×1017 cm-3的Si材料,试求温度为300K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。(已知300K时硅的ni为1.5×1010cm-3)
- 6.计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
- 7.掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子和立方米51022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。解：N1.51017cm3,N51016cm3300K:n21013cm3杂质在300K能够全部电离，杂质浓度远大于本征载流子浓度，所以处于强电离饱和区nNN11017cm3n2p________n0
- 8.计算含有施主杂质浓度为ND=9 1015cm3,及受主杂质浓度为1.1 1016cmi,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置
- 9.已知Si中只含施主杂质ND=1015cm-3，现在40K下测得电子浓度为1012cm-3，试估算施主杂质的电离能。
- 10.有一块掺磷的 n型硅,ND=1015cm-3,分别计算温度为①77K;②300K;③500K;④800K时导带中电子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)
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A: n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV
B: n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
C: n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV
D: n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV">11.
A: n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV
B: n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
C: n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV
D: n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV
- 12.在SRH理论中，在小注入情况下，寿命只取决于n0、p0、n1和p1中最大的值。对于强n型半导体，下述的（ ）是正确的。选项： A:在n0、p0、n1和p1中，n0最大，τ≈1 /Ntrp; B:在n0、p0、n1和p1中，p0最大，τ≈p0 /Ntrpn0; C:在n0、p0、n1和p1中，n1最大，τ≈n1 /Ntrpn0; D:在n0、p0、n1和p1中，p1最大，τ≈p1 /Ntrp(n0+p0)
- 13.某地耕层含水量为200g·kg-1，土壤容重为1.2g·cm-3，土壤总孔度为54.72%，求土壤固、液、气三相比。
- 14.单晶硅中均匀地掺入两种杂质:掺硼1.51016cm-3, 掺磷5.01015cm-3。试计算:(1)室温下载流子浓度;(2)室温下费米能级位置;(3)室温下电导率;(4)600K下载流子浓度。(已知:室温下(T=300K):ni=1.51010cm-3, k0T=0.026eV; NV=1.01019cm-3, NC=2.81019cm-3;n=1000cm2/Vs ;p=400cm2/Vs 600K时:ni=61015cm-3。)
- 15.单晶硅中均匀地掺入两种杂质:掺硼1.5?1016cm-3, 掺磷5.0?1015cm-3。试计算:(1)室温下载流子浓度;(2)室温下费米能级位置;(3)室温下电导率;(4)600K下载流子浓度。(已知:室温下(T=300K):ni=1.5?1010cm-3, k0T=0.026eV; NV=1.0?1019cm-3, NC=2.8?1019cm-3;?n=1000cm2/V?s?;?p=400cm2/V?s?600K时:ni=6?1015cm-3。)
- 16.设某二叉树中度数为0的结点数为N0，度数为1的结点数为N1，度数为2的结点数为N2，则下列等式成立的是（ ）。选项： A:N0=N1+1 B:N0=N1+N2 C:N0=N2+1 D:N0=2N1+1
- 17.一个NPN型硅双极晶体管的面积是5×10-4cm2，T=300K，中性基区宽度xB=0.7μm，中性发射区宽度xE=0.50μm，均匀掺杂浓度分别为NE=5×1017cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3，其他的参数为DB=10cm2/s，DE=15cm2/s，τE0=τB0=5×10-7s， ΤC0=2×10-6s，假设晶体管工作于正向有源区，复合系数为δ=0.995。请计算基极电流IB=0.6μA情况下的集电极电流。
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18.设某二叉树中度数为 0 的结点数为 N0，度数为 1 的结点数为 Nl，度数为 2 的结点数为 N2，则下列等式成立的是（）。
(A) N0=N1+1
(B) N0=Nl+N2
(C) N0=N2+1
(D) N0=2N1+l
选项：A、C - 19.①在室温下，锗的有效态密度Nc=1.051019cm-3，NV=5.71018cm-3，试求锗的载流子有效质量m*m*。计算77K时的N 和N。已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K 时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ED为多少？7（.1）根据Nc2koTm32(________)2h2Nv2(2koTm3p)2得h2
- 20.有以下程序 #include main() { char *s="120119110"; int n0,n1,n2,nn,i; n0=n1=n2=nn=i=do{ switch(s) { default : nn++; case ': n0++; case ': n1++; case ': n2++; } } while(s[i]); printf("n0=%d,n1=%d,n2=%d,nn=%d\n",n0,n1,n2,nn); } 程序的运行结果是[/i] 选项： A、n0=3,n1=8,n2=9,nn=1 B、n0=2,n1=5,n2=1,nn=1 C、n0=2,n1=7,n2=10,nn=1 D、n0=4,n1=8,n2=9,nn=1
