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- 1.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn0.55,导带的有效状态密度NC2.81019/cm3, kT0.026 eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。
- 2. n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0eV。（）
- 3.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ） 选项： A、1.44×1019/cm3 , 0.56eV B、2.37×1019/cm3 , 0.44eV C、2.37×1019/cm3 , 0.56eV D、1.44×1019/cm3 , 0.44eV
- 4.已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的⏺⏺有效质量之比m* / mn 0.5519 3⏺⏺kT 0.026eV 。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1016/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF。
- 5.本征半导体的特征是？选项： A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。; B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。; C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。; D:电子浓度和空穴浓度均为0。
- 6.有一块掺磷的 n 型硅,ND=1015cm-3, 分别计算温度为① 77K;② 300K;③500K; ④800K时导带中电子浓度(本征载流子浓度数值查图 3-7 )
- 7.本征半导体的特点是（）选项： A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
- 8.计算(1)掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅,在室温(300K)时的电子n0和空穴浓度p0,其中本征载流子浓度n i=2×1010个/cm3。(2)如果在(1)中掺入NA=5×1014个/cm3的受主,那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少?(3)若在(1)中掺入NA=1×1015个/cm3的受主,那么电子n0和空穴浓度p0又为多少?
- 9.室温下，n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其费米能级位于（ ）。选项： A:禁带中线之下; B:禁带中线; C:禁带中线之上; D:施主能级
- 10.计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
- 11.单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（ ）。选项： A:6.7×108/cm3 B:1.1×109/cm3 C:1.34×109/cm3 D:2.2×109/cm3
- 12.若锗在T=300K时，NC=1.1×1019cm-3，NV=0.51×1019cm-3，禁带宽度为Eg=0.67eV。计算T=300K时的本征载流子浓度。
- 13.绝缘体的导电性差，是因为选项： A:价带为满带; B:禁带宽度大; C:禁带宽度小; D:价带为导带
