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单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
选项：

A:6.7×108/cm3
B:1.1×109/cm3
C:1.34×109/cm3
D:2.2×109/cm3

发布时间：2024-06-15 20:52:10

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1.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（）选项： A:1.44×1019/cm3 , 0.56eV B:2.37×1019/cm3 , 0.44eV C:2.37×1019/cm3 , 0.56eV D:1.44×1019/cm3 , 0.44Ev
2.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（）选项： A:1.44×1019/cm3 , 0.56eV B:2.37×1019/cm3 , 0.44eV C:2.37×1019/cm3 , 0.56eV D:1.44×1019/cm3 , 0.44eV
3.【单选题】n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.01019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.01021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.610-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（） A.2.371019/cm3 , 0.56eV B.1.441019/cm3 , 0.44
4. n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0eV。（）
5.硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度 N= 8.8×1018/cm3,计算300 K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5 eV/K）（）选项： A:1×1014/cm3 B:1.65×1014/cm3 C:2×1014/cm3 D:3.3×1014/cm3
6.硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度 N= 8.8×1018/cm3,计算300 K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5 eV/K）（）选项： A、2×1014/cm3 B、1×1014/cm3 C、1.65×1014/cm3 D、3.3×1014/cm3
7.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn,导带的有效状态密度NC1019/cm3, kT eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。@
8.已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn0.55,导带的有效状态密度NC2.81019/cm3, kT0.026 eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。
9.(1530916)某井油层深度为1000m，静压为11MPa，按公式计算应选用压井液相对密度为( )。(1.0分) 选项： A:1.00～1.10g/cm3 B:1.10～1.15g/cm3 C:1.20～1.25g/cm3 D:1.25～1.30g/cm3
10.地球的平均密度为（）选项： A:5.516g/cm3 B:2.6 g/cm3 C:2.85 g/cm3
11.[单选题]龙骨表面进行防锈，其双面镀锌量中优等品镀锌量为()、一等品镀锌量为()、合格品的镀锌量为() A 120g/cm3，100g/cm3，80g/cm3 B 140g/cm3，120g/cm3，80g/cm3 C 140g/cm3，120g/cm3，100g/cm3 D 120g/cm3，110g/cm3，110g/cm3
12. 地球的平均密度为（）。选项： A、 2.6-3.0g/cm3 B、 5.52g/cm3 C、 4.64g/cm3
13.已知某种物质的密度为2.94g/cm3(3是幂指数），纯水的密度为1g/cm3，则它的相对密度：选项： A:1/2.94; B:1/2.94 (g/cm3); C:2.94/1; D:2.94/1 (g/cm3)
14.计算(1)掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅,在室温(300K)时的电子n0和空穴浓度p0,其中本征载流子浓度n i=2×1010个/cm3。(2)如果在(1)中掺入NA=5×1014个/cm3的受主,那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少?(3)若在(1)中掺入NA=1×1015个/cm3的受主,那么电子n0和空穴浓度p0又为多少?
15.完全饱和粘性土试样的含水量为30%，土粒比重为2.73，液限为33％，塑限为17％，其饱和密度为（）。选项： A:1.95g/cm3; B:1.99g/cm3; C:2.01g/cm3; D:1.86g/cm3

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单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（ ）。选项： A:6.7×108/cm3 B:1.1×109/cm3 C:1.34×109/cm3 D:2.2×109/cm3

单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
选项：

A:6.7×108/cm3
B:1.1×109/cm3
C:1.34×109/cm3
D:2.2×109/cm3