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在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____
选项:
A:温度;
B:杂质浓度;
C:掺杂工艺;
D:无
取决于
杂质
载流子
发布时间:
2024-04-19 15:20:44
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1.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____。 选项:温度|掺杂工艺|杂质浓度
2.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度
3.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
4.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺
5.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。选项: A:I型半导体; B:杂质浓度; C:杂质类型; D:温度
6.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。选项: A:温度; B:杂质浓度; C:杂质类型; D:I型半导体
7.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。 选项: A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
8.
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:晶体缺陷
9.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 选项: A、杂质浓度 B、 温度 C、 两端电压 D、 半导体材料
10.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度 ; B:掺杂浓度 ; C:晶体材料 ; D:杂质类型
11.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。
12.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )
13.
杂质半导体中多数载流子浓度取决于
14.
杂质半导体中多数载流子的浓度与什么因素有关( ) 选项:温度|掺入杂质的浓度|半导体材料类型
15.
N型半导体掺杂的杂质是(),其多数载流子是(),其少数载流子是()
16.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
17.
N型半导体掺杂的杂质是(),其多数载流子是(),其少数载流子是()
18.
半导体材料作为半导体器件的要求是( )。 选项: A、适当的杂质浓度 B、较高的载流子寿命 C、合适的禁带宽度 D、高的载流子迁移率
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