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如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（）
A:-1.099kT，1.099kT
B:1.099kT，1.099kT
C:-1.099kT，-1.099kT
D:1.099kT，-1.099kT

发布时间：2024-06-15 20:43:22

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1. 如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（）
2.根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率( ) 选项： A:等于空穴占据(EF+KT)能级的几率 B:等于空穴占据(EF-KT)能级的几率 C:大于电子占据EF的几率 D:大于空穴占据EF的几率
3.费米能级是电子占据几率为1/4的量子态所对应的能级。
4.根据费米分布函数，电子占据（【图片】）能级的几率（）选项： A、等于空穴占据（）能级的几率 B、等于空穴占据（）能级的几率 C、大于电子占据的几率 D、大于空穴占据的几率
5.费米能级是电子占据几率为1/4的量子态所对应的能级。选项： A:正确; B:错误
6.中国大学MOOC: 费米能级是电子占据几率为1/4的量子态所对应的能级。
7.【填空题】根据费米分布函数,可以分析出,在绝对温度为0K时,能量比费米能级小的量子态,被电子占据的几率为 (),而能量比费米能级大的量子态被电子占据的几率为()
8.根据费米分布函数，电子占据(EF+k0T)能级的几率（）。选项： A、等于空穴占据(EF+k0T)能级的几率 B、等于空穴占据(EF－k0T)能级的几率 C、大于电子占据EF能级的几率 D、大于空穴占据EF能级的几率
9.温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？选项： A、0 B、1/4 C、1/2 D、1
10. 费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（）的能级能量
11.按照费米分布，费米能级所对应的能态电子占据的几率为（）A.1B.0.5C.0
12.T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）? 增加下降不变不确定
13.T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）? 不确定不变下降增加
14.T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）选项： A:增加; B:下降; C:下降; D:不确定
15.T＞0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）。选项： A:增大 B:不变 C:减小 D:无法确定
16. T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）选项： A:下降; B:不确定; C:增加; D:不变
17.电子从高能级向低能级跃迁,高能级和低能级的能量分别为E2和E1,则发射光子的能量为():
18.以下说法正确的是()选项： A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
19.按照费米分布，T=0K时费米能以下的能态电子占据的几率为（）选项： A、1 B、3/4 C、1/2 D、0
20.分子具有电子能级、振动能级和转动能级，各能级的能量顺序为:E转动＞E振动＞E电子。（）1分] 选项： A:正确 B:错误
21.分子受到光的照射发生能级跃迁，各能级能量由高到低的顺序为(　　) 选项： A: 转动能级＞振动能级＞电子能级 B: 电子能级＞转动能级＞振动能级 C: 振动能级＞转动能级＞电子能级 D: 电子能级＞振动能级＞转动能级
22.半导体中载流子电子浓度等于（）选项：导带量子态密度乘以电子占据能级的概率|导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果|导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积|B的结果除以晶体体积

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如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（ ）A:-1.099kT，1.099kTB:1.099kT，1.099kTC:-1.099kT，-1.099kTD:1.099kT，-1.099kT

如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（）
A:-1.099kT，1.099kT
B:1.099kT，1.099kT
C:-1.099kT，-1.099kT
D:1.099kT，-1.099kT