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如电子占据某一能级的几率为1/4,另一能级被占据的几率为3/4,分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT()
计算
分别
能级
发布时间:
2023-09-08 10:22:04
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1.
根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率( ) 选项: A:等于空穴占据(EF+KT)能级的几率 B:等于空穴占据(EF-KT)能级的几率 C:大于电子占据EF的几率 D:大于空穴占据EF的几率
2.
根据费米分布函数,电子占据(EF+kT)能级的几率( )。 选项: A:等于空穴占据(EF+kT)能级的几率 B:等于空穴占据(EF-kT)能级的几率 C:大于电子占据EF的几率 D:大于空穴占据EF的几率
3.
根据费米分布函数,电子占据(EF+kT)能级的几率 ( ) 选项: A:等于空穴占据(Ef+kT)能级的几率 B:大于电子占据 Ef 的几率 C:等于空穴占据(Ef-kT)能级的几率 D:大于空穴占据 Ef 的几率
4.
【填空题】根据费米分布函数,可以分析出,在绝对温度为0K时,能量比费米能级小的量子态,被电子占据的几率为 (),而能量比费米能级大的量子态被电子占据的几率为()
5.
根据费米分布函数,电子占据(EF+k0T)能级的几率( )。 选项: A、等于空穴占据(EF+k0T)能级的几率 B、等于空穴占据(EF-k0T)能级的几率 C、大于电子占据EF能级的几率 D、大于空穴占据EF能级的几率
6.
根据费米分布函数,电子占据(EF+k0T)能级的几率( )。选项: A:等于空穴占据(EF+k0T)能级的几率; B:等于空穴占据(EF-k0T)能级的几率 ; C:大于电子占据EF能级的几率; D:大于空穴占据EF能级的几率
7.
温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为( )? 选项: A、0 B、1/4 C、1/2 D、1
8.
费密能EF表示T>0K时电子占有几率为()的能级能量
9.
根据费米分布函数,电子占据EF+2k0T能级的几率( ) 选项: A、等于空穴占据EF+2k0T能级的几率 B、等于空穴占据EF-2k0T能级的几率 C、大于电子占据EF的几率 D、大于空穴占据EF的几率
10.
温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?1/41/21
11.
费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。 选项: A、正确 B、错误
12.
按照费米分布,费米能级所对应的能态电子占据的几率为() 选项: A:1 B:0 C:0.5 D:0.1
13.
T>0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电子占据能级的几率( )? 增加下降不变不确定
14.
T>0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电子占据能级的几率( )选项: A:增加; B:下降; C:下降; D:不确定
15.
T>0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电子占据能级的几率()。 选项: A:增大 B:不变 C:减小 D:无法确定
16.
T>0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电子占据能级的几率( )选项: A:下降; B:不确定; C:增加; D:不变
17.
电子从高能级向低能级跃迁,高能级和低能级的能量分别为E2和E1,则发射光子的能量为():
18.
费米能级Ef的意义是电子占据率为()时所对应的能级。A、0;B、0.1;C、0.2;D、0.5;
19.
以下说法正确的是()选项: A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
20.
(单选题)根据鲍林近似能级图,在多电子原子中,基态时,下列电子均处于一定的能级,其中占据能级最高轨道的电子是( ) 选项: A: 2,1,-1,+1/2 B: 3,1,-1,+1/2 C: 3,2,-1,+1/2 D: 4,0,0,-1/2
21.
按照费米分布,T=0K时费米能以下的能态电子占据的几率为( ) 选项: A、1 B、3/4 C、1/2 D、0
22.
1.分子具有电子能级、振动能级和转动能级,各能级的能量顺序为:E转动>E振动>E电子。 ( 选项: A:正确 B:错误
23.
分子受到光的照射发生能级跃迁,各能级能量由高到低的顺序为( ) 选项: A: 转动能级>振动能级>电子能级 B: 电子能级>转动能级>振动能级 C: 振动能级>转动能级>电子能级 D: 电子能级>振动能级>转动能级
24.
半导体中载流子电子浓度等于( ) 选项:导带量子态密度乘以电子占据能级的概率|导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果|导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积|B的结果除以晶体体积
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