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什么是MOSFET器件的线性区?什么是沟道夹断?什么是饱和工作状态?什么是沟道长度调制效应?
调制
器件
发布时间:
2024-04-14 19:45:10
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1.
当MOSFET工作在恒流区(饱和区)时,它的导电沟道是连续的(沟道没有夹断区)。
2.
MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大,是由于什么原因引起的:( )。选项: A:基区宽度调变效应; B:漏区静电场对沟道的反馈; C:有效沟道调制效应; D:阈电压的短沟道效应
3.
MOSFET器件工作在饱和区时,由于导电沟道被夹断,所以漏极电流为0。选项: A:对 B:错
4.
沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象
5.
沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象 选项: A、正确 B、错误
6.
沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象 选项: A:正确; B:错误
7.
已知 ENMOS管的忽略工作在饱和区时的沟道长度调制效应,试计算时,漏极电流in的大
8.
已知 ENMOS管的时,其漏极电流若忽略工作在饱和区时的沟道长度调制效应,试计算
9.
当时,其漏极电流若忽略工作在饱和区时的沟道长度调制效应,试计算(1)当时,漏极电流in的大
10.
当MOSFET工作在饱和区时,若VGS一定,VDS增加时,则其沟道长度L将会变( )。
11.
某场效应管的转移特性如图所示,则该管是() 选项: A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFET C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET
12.
短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后,会出现哪些现象:( )。选项: A:饱和漏源电压正比于沟道长度 L; B:阈值电压随L 的缩短而减小; C:饱和漏极电流与沟道长度L无关; D:跨导与沟道长度 L 不再有关
13.
使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____
14.
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
15.
使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
16.
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
17.
MOSFET器件的导电沟道是()层。 选项: A:耗尽 B:反型 C:阻挡 D:反阻挡
18.
作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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