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- 1.场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。选项： A:正确; B:错误
- 2.场效应管的低频跨导gm与栅源电压无关。（ ）
- 3.MOSFET的（ ）是输出特性曲线的斜率，（ ）是转移特性曲线的斜率。 选项： A:漏源电导，跨导; B:跨导，漏源电导; C:漏源电阻，栅源电阻; D:漏源电阻，跨导
- 4.关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是 。 选项： A、MOSFET的漏极电流ID的数值越大，gm就越大 B、gm是一个常数 C、gm是描述管子放大能力的一个参数 D、MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大，gm越大
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5.栅源电压为0时，导通的场效应管为（） 选项： A:
JFET
B:耗尽型MOS
C:增强型MOS
D:A和B
- 6.N沟道耗尽型MOS管漏极电流为0时，栅源电压为负值。
- 7.下面的说法正确的是 。? MOSFET的低频跨导gm是一个常数。耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
- 8.绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
- 9.MOS管相当于是一个开关，栅极是开关的控制端，栅极加高电平开关闭合，MOS管导通。（ ）选项： A:对 B:错
- 10.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
- 11.绝缘栅双极型晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的
- 12.场效应管的低频跨导gm是________
- 13.放大电路如图所示,已知FET的跨导gm,BJT的β>1,试求中频的电压增益的表达式
- 14..用N沟道增强型的MOS管作开关管使用，栅极G加低电平时MOS管导通。
- 15.场效应管的低频跨导gm是常数。()
- 16.共源放大器构成的MOS差分放大电路中，电阻RSS越大，则______。选项： A:差模电压增益越大; B:差模电压增益越小; C:共模电压增益越大; D:共模电压增益越小
- 17. 场效应管的低频跨导gm是常数。选项： A:正确; B:错误
- 18.场效应管的低频跨导gm是常数。 选项： A、正确 B、错误
- 19.中国大学MOOC: 场效应管的低频跨导gm是常数。
- 20.栅源电压为0时，漏源之间存在导电沟道的称为_____MOS管。A.耗尽B.增强
- 21.中国大学MOOC: N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压，而栅漏电压小于开启电压时，该MOS管工作在恒流区。（ ）
- 22.P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
- 23.N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为
