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半导体载流子在运动中遭到散射的根本原因是周期性势场被破坏。
选项:
A:正确;
B:错误
运动中
根本原因
载流子
发布时间:
2024-04-25 16:07:20
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1.
载流子遭到散射的根本原因是 ,主要的散射机构有 和 。
2.
载流子遭到散射的根本原因是 ,主要的散射机构有 和 。
3.
在半导体中,不影响载流子的迁移率的散射机制是( )选项: A:晶格散射 ; B:电离杂质散射; C:声子散射 ; D:固体散射
4.
在P型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 选项:A、正确 B、错误
5.
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 选项: A:正确 B:错误
6.
在P型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子。选项: A:正确; B:错误
7.
在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。 选项: A:正确 B:错误
8.
在P型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 选项: A:正确 B:错误
9.
>、在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 ( ) 选项: A:正确 B:错误
10.
36.在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 选项: A:正确 B:错误
11.
在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。选项: A:正确; B:错误
12.
在N型半导体中,多数载流子是 ;在P型半导体中,多数载流子是 。
13.
杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。选项: A:正确; B:错误
14.
216、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电。 选项: A:正确 B:错误
15.
轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低选项: A:正确; B:错误
16.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 选项: A、 自由电子 B、 空穴
17.
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
18.
N型半导体中自由电子是多数载流子,因此N型半导体带负电。选项: A:正确; B:错误
19.
P型半导体中的多数载流子是____ ,N型半导体中的多数载流子是____ 。
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