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N型半导体中的多子是()。
选项:
A:电子
B:空穴
C:正离子
D:负离子
空穴
负离子
正离子
发布时间:
2024-04-20 11:55:50
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1.
N型半导体中的多数载流子是()。 选项: A、空穴 B、自由电子 C、正离子 D、负离子
2.
( ) 在N型半导体中,多子是____ ,少子是____;在P型半导体中,多子是____,少子是____。 ( ) 自由电子 ( ) 空穴 ( ) 空穴 ( ) 自由电子 答案解析:
3.
n型半导体中的多子是 选项: A、空穴 B、电子 C、中子 D、电子_空穴对
4.
n型半导体中的多子是 选项: A: 空穴 B: 电子 C: 中子 D: 电子—空穴对
5.
半导体中的载流子为()。 选项:A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴
6.
N型半导体中的多子是空穴。选项: A:正确; B:错误
7.
N型半导体中主要的载流子是( )。 选项: A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
8.
在N型半导体中,多数载流子是 ( ) A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
9.
5. 在N型半导体中,多数载流子是 ( ) A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
10.
N型杂质半导体中,多子是______,其浓度主要由______决定;少子是______,其浓度主要由______决定。选项: A:自由电子,温度;空穴,掺杂; B:空穴,掺杂;自由电子,温度; C:自由电子,掺杂;空穴,温度; D:空穴,温度;自由电子,掺杂
11.
N型半导体中的多数载流子是( )A、电子B、空穴C、电子和空穴
12.
N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。选项: A:空穴; B:电子; C:电子和空穴; D:正离子; E:负离子
13.
在本征半导体中,自由电子浓度_____空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度_______空穴浓度,在N型半导体中,自由电子浓度_______空穴浓度
14.
在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
15.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是 选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
16.
本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P型半导体中,________浓度小于______浓度;在N型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度。
17.
N型半导体中,电子数目多余空穴数目,其导电能力主要由电子决定,所以称为( )型半导体。 选项: A:空穴 B:空穴 C:光敏 D:热敏
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