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MOS结构是指金属-氧化物-半导体结构
结构
半导体
氧化物
发布时间:
2024-05-11 23:14:15
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1.
MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。 选项: A、正确 B、错误
2.
MOS是金属-氧化物-半导体场效应管的英文缩写。 选项: A:正确 B:错误
3.
由 金属一氧化物半导体场效应管构成的集成电路称为MOS电路。( )
4.
()绝缘栅型场效应晶体管, 又称为金属-氧化物-半导体场效应管(MOS-FET)
5.
现代集成电路其最基本的结构单元为金属-绝缘体-半导体MOS场效应管。选项: A:对 B:错
6.
CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写,由和组成
7.
由金属-________-半导体场效应管构成的集成电路称为MOS电路。
8.
半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别?
9.
金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体,金属原子过剩时形成p型半导体。()
10.
ZnO金属氧化物属于() A: n型半导体 B: p型半导体 C: 绝缘体 D: 本征半导体
11.
电子能带按结构理论解释金属,半导体和绝缘体的差别
12.
关于CCD和CMOS传感器,以下不正确的是 选项: A:CCD是电荷耦合器件 B:CMOS是互补性金属氧化物半导体 C:CMOS的结构相对简单 D:CMOS生产成本高
13.
压敏电阻是一种以氧化锌ZnO为主要成份的金属氧化物半导体
14.
CMOS使用MOSFET(互补金属氧化物半导体场效应管). 选项: A:正确 B:错误
15.
金属氧化物半导体场效应管包括()。选项: A:源极; B:漏极; C:栅极; D:正极
16.
MOS管是一种电流型半导体器件,BJT是一种电压型半导体器件
17.
( )由金属氧化物半导体场效应管构成的集成电路称CMOS电路。 选项: A:正确 B:错误
18.
双向晶闸管是( )半导体结构。
19.
普通晶管是()半导体结构
20.
双向晶闸管是( )半导体结构。
21.
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
22.
半导体湿度传感器可以分为()。 选项: A、元素半导体湿敏器件 B、金属氧化物半导体湿敏器件 C、多功能半导体陶瓷湿度传感器 D、MOSFET湿敏器件 E、结型湿敏器件
23.
N型半导体形成的肖特基势垒二极管,其正向电流是( )。选项: A:半导体的多子流向金属形成,方向从金属指向半导体; B:半导体的多子流向金属形成,方向从半导体指向金属; C:半导体的少子流向金属形成,方向从金属指向半导体; D:半导体的少子流向金属形成,方向从半导体指向金属
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