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现代集成电路其最基本的结构单元为金属-绝缘体-半导体MOS场效应管。
选项:
A:对
B:错
集成电路
绝缘体
结构单元
发布时间:
2024-05-11 23:14:15
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1.
由金属-________-半导体场效应管构成的集成电路称为MOS电路。
2.
MOSFET场效应管中的MOS分别代表( )。A.半导体B.金属C.氧化物D.绝缘体
3.
由金属氧化物半导体场效应管构成的集成电路简称()电路。A.CMOSB.NPNC.PNPD.MOS
4.
( )由金属氧化物半导体场效应管构成的集成电路称CMOS电路。 选项: A:正确 B:错误
5.
MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。 选项: A、正确 B、错误
6.
MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。选项: A:正确; B:错误
7.
()绝缘栅型场效应晶体管, 又称为金属-氧化物-半导体场效应管(MOS-FET)
8.
中国大学MOOC: MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。
9.
由金属一氧化物半导体场效应管构成的集成电路简称CMOS电路。 选项: A:正确 B:错误
10.
金属材料一般是电的()。 选项: A、绝缘体 B、导体 C、半导体 D、半绝缘体
11.
绝缘栅场效应管又称为金属-氧化物-半导体场效应管。()
12.
ZnO金属氧化物属于() A: n型半导体 B: p型半导体 C: 绝缘体 D: 本征半导体
13.
NiO金属氧化物属于() A: 绝缘体 B: 本征半导体 C: n型半导体 D: p型半导体
14.
根据能带理论简述金属、半导体和绝缘体的导电性
15.
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16.
半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别?
17.
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某场效应管的转移特性如图所示,该管为( )。 选项:P沟道增强型MOS管#P沟道结型场效应管#N沟道增强型MOS管#N沟道耗尽型MOS管
19.
试用能带理论说明金属导体、半导体和绝缘体的导电性能。
20.
试用晶体能带理论说明金属、半导体、绝缘体的导电性质。
21.
不是集成电路的主要的晶体管结构() 选项: A、单极型集成电路 B、双极型集成电路 C、MOS型集成电路 D、双极MOS型集成电路
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