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杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是( )。
选项:
A:自由电子;
B:空穴;
C:多子;
D:少子
自由电子
空穴
载流子
发布时间:
2024-05-11 23:11:25
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1.
N型杂质半导体中,多子是______,其浓度主要由______决定;少子是______,其浓度主要由______决定。选项: A:自由电子,温度;空穴,掺杂; B:空穴,掺杂;自由电子,温度; C:自由电子,掺杂;空穴,温度; D:空穴,温度;自由电子,掺杂
2.
( ) 在N型半导体中,多子是____ ,少子是____;在P型半导体中,多子是____,少子是____。 ( ) 自由电子 ( ) 空穴 ( ) 空穴 ( ) 自由电子 答案解析:
3.
杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是()
4.
下面关于P型半导体描述不正确的是( )。选项: A:多子是空穴,少子是自由电子; B:少子是空穴,多子是自由电子; C:对外不显电性; D:自由电子的数目随着温度升高而增多
5.
杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是( )。
6.
在N型半导体中,收温度影响较大的载流子是 选项: A:电子 B:自由电子 C:空穴 D:离子核
7.
自由电子为 载流子,空穴为 载流子的杂质半导体称为N型半导体。
8.
N型半导体中主要的载流子是( )。选项: A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
9.
N型半导体中主要的载流子是( )。 选项: A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
10.
.在P型半导体中:多子是______,少子是______(空穴、自由电子);在室温下,当温度升高时,空穴的浓度将会______(升高、降低、近似不变),自由电子的浓度将会______(升高、降低、近似不变)。
11.
N型半导体中的多数载流子是( )。 选项: A:自由电子 ; B:空穴 ; C:离子; D:杂质
12.
N型半导体中自由电子是载流子,空穴是载流子。
13.
P型半导体中自由电子是载流子,空穴是载流子。
14.
下列半导体器件参量中,受温度影响的是( )。选项: A:多数载流子; B:少数载流子; C:杂质正离子; D:杂质负离子
15.
N型半导体中自由电子是少数载流子,空穴是多数载流子。( )
16.
N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
17.
已知杂质半导体中的多数载流子为电子,则该杂质半导体为;多数载流子为空穴,则该杂质半导体为。
18.
P型半导体少子是( ) 选项: A、自由电子 B、光子 C、离子 D、空穴
19.
在N型半导体中自由电子是少数载流子,空穴是多数载流子。 选项: A:正确 B:错误
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