下列关于n型半导体生成描述正确的有（ ）
选项：

A:通过向氧化物晶格间隙参入电负性大的杂质原子，可生成n型半导体
B:通过向氧化物晶格间隙参入电负性小的杂质原子，可生成n型半导体
C:用低价离子取代晶格中的正离子可生成n型半导体
D:含有过量金属原子的非化学计量化合物可生成n型半导体