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MOSFET中的导电沟道是指其()?
选项:
A:金属层;
B:耗尽层;
C:反型层;
D:氧化层
导电
耗尽
发布时间:
2024-04-08 15:55:14
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1.
MOSFET中的导电沟道是指其()?? 氧化层|金属层|耗尽层|反型层
2.
MOSFET中的导电沟道是指其()?? 反型层耗尽层金属层氧化层
3.
MOSFET中的导电沟道是指其()? 选项: A、金属层 B、耗尽层 C、反型层 D、氧化层
4.
MOSFET器件的导电沟道是()层。 选项: A:耗尽 B:反型 C:阻挡 D:反阻挡
5.
MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。选项: A:正确; B:错误
6.
中国大学MOOC: MOSFET中的导电沟道是指其()?
7.
电力MOSFET的导通原理是: 选项: A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。
8.
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
9.
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:增加沟道长度; B:减小栅氧化层厚度; C: 减小沟道宽度; D: 提高阈值电压
10.
PN结也称为( )。选项: A:空间电荷区; B:阻挡层; C:耗尽层; D:电位壁垒(势垒层)
11.
耗尽层电容
12.
某场效应管的转移特性如图所示,则该管是() 选项: A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFET C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET
13.
中国大学MOOC: 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。
14.
PN结又称为() 选项: A、耗尽层 B、 空间电荷区 C、 阻挡层
15.
、( )又可以称为耗尽层。 选项: A:P型半导体 B:N型半导体 C:PN结 D:结电容
16.
空间电荷层形成耗尽层,材料表面电导率降低。()
17.
空间电荷层形成耗尽层,材料表面电导率降低。( ) 选项: A、对 B、错
18.
下列属于电力MOSFET导电沟道类型的为()。 选项: A、N B、NPN C、PNP
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