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砷化稼是直接能隙半导体,硅和锗是间接能隙半导体。( )
选项:
A:对
B:错
半导体
间接
直接
发布时间:
2024-06-04 18:52:50
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1.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
2.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。选项: A:正确; B:错误
3.
中国大学MOOC: 半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。
4.
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。A.正确B.错误
5.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
6.
砷化镓是直接带隙半导体材料选项: A:对 B:错
7.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
8.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
9.
有关直接和间接带隙半导体材料说法正确的是?选项: A:GaN属于直接带隙半导体材料; B:直接带隙半导体材料通常用于制作光探测器件; C:间接带隙半导体材料通常用于制作发光器件; D:直接带隙半导体材料在能级跃迁过程中有声子参与
10.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
11.
砷化镓是间接能带隙材料。选项: A:对 B:错
12.
从能带结构上来看,砷化镓材料属于____________________带隙半导体。
13.
以下属于常见的半导体材料的是( CDE )。 选项: A:铁 B:铜 C:硅 D:锗 E:砷化镓
14.
硅半导体材料温度特性比锗半导体材料温度特性好( ) 选项:A:对 B:错
15.
铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
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