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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
承受
大的
耗尽
发布时间:
2024-05-11 23:13:51
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。? 错误正确
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( ) A: 正确 B: 错误
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )选项: A:正确; B:错误
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(Y)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。 选项: A:正确 B:错误
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 Ree大的特点。() 选项: A:正确 B:错误
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rcs大的特点。 选项: A:对 B:错
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结型场效应管和增强型MOS管的区别在于:即使栅源电压为零,结型场效应管的导电沟道 。
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场效应管的低频跨导gm与栅源电压无关。( )选项: A:对 B:错
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当栅源电压VGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有:选项: A:结型管 B:增强型MOS管 C:耗尽型MOS管
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不加栅-源电压,存在导电沟道的场效应管是() A: P沟道增强型场效应管 B: N沟道耗尽型场效应管 C: P沟道结型场效应管 D: N沟道增强型场效应管
17.
关于折叠式共源共栅电路和非折叠式共源共栅电路的说法正确的是( )。 选项: A、折叠式共源共栅结构比非折叠共源共栅结构的输入电压范围大很多 B、折叠式共源共栅结构比非折叠共源共栅结构功耗小 C、折叠式共源共栅结构的输出阻抗比非折叠共源共栅大 D、折叠式共源共栅结构的增益比非折叠共源共栅大
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