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热门标签: 自由电子
对于一个二维简单正方晶格,分别计算在其第一布里渊区顶角和该区一边中点上的一个自由电子的动能。
对于二维正方格子,第一布里渊区角上π/a(1,1)的自由电子动能是区边中心点π/a(1,0)的几倍( )A.1/2B.2C.4D.1
金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料。? 正确错误
本征半导体中掺入五价杂质元素后,生成N型半导体,其多子是自由电子载流子。( ) 选项: A:对 : B:错
N型半导体材料中自由电子的浓度远远高于空穴浓度,所以N型半导体带负电。 选项: A:对 B:错
自由电子为( )载流子, 空穴为( )载流子的杂质半导体,称为N型半导体。
N型半导体的多数载流子是 ,P型半导体的多数载流子是 。(填自由电子、空穴)
金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料
关于离子键、离子极化和离子晶体,下列说法错误的是( )选项: A:在NaCl晶体中,每个Cl-离子周围最靠近的Na+离子数目是6,所以离子键具有饱和性。; B:离子晶体里没有自由电子,因此只有溶解在水中才能导电。; C:阴阳离子的电荷越高,半径越小,则该晶体的熔沸点越高。; D:阴阳离子离子极化程度的加剧,导致化学键中的离子键成分减小,共价键成分增加。
因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
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