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热门标签: 增强型
EPP的名称是()。 选项: A、A标准并口 B、B增强型并口 C、C扩展能力并口 D、D双向并口
EPP是一种()。 选项: A、增强型并口 B、扩展容量端口 C、增强型串口 D、扩展速率端口
若一个增强型N沟道MOS管,开启电压为3V,源极电位为0V,栅极电位为5V,漏极电位为______时,工作在可变电阻区。选项: A:1V; B:3V; C:5V; D:7V
若一个增强型N沟道MOS管,开启电压为3V,源极电位为0V,栅极电位为5V,漏极电位为______时,工作在可变电阻区。 选项: A、1V B、3V C、5V D、7V
若一个增强型N沟道MOS管,开启电压为3V,源极电位为0V,栅极电位为5V,漏极电位为__时,工作在可变电阻区。A.7VB.1VC.5VD.3V
若一个增强型N沟道MOS管,开启电压为3V,源极电位为0V,栅极电位为5V,漏极电位为______时,工作在可变电阻区。 A: 1V B: 3V C: 5V D: 7V
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是( )。选项: A:N沟道增强型管,工作在可变电阻区; B:N沟道耗尽型管,工作在放大区; C:P沟道增强型管,工作在截止区; D:P沟道耗尽型管,工作在放大区
对于N沟道增强型MOS管,当其漏极输出为高电平时,此时MOS工作在( )
当P沟道增强型MOS管工作在恒流区时,其漏极电位( )源极电位。 选项: A、等于 B、大于 C、小于 D、不确定
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是( )。A.N 沟道增强型管,工作在可变电阻区B.N 沟道耗尽型管,工作在放大区C.P 沟道增强型管,工作在截止区D.P 沟道耗尽型管,工作在放大区
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