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在用YF3掺杂的CaF2晶体中,间隙氟离子Fi’缺陷占优势( )
选项:
A:对
B:错
离子
占优势
掺杂
发布时间:
2024-04-14 10:54:10
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1.
如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3杂质,则在1600℃时,CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度(CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV)? ( ) 选项: A、对 B、错
2.
YF3溶于CaF2中形成间隙型固溶体,其缺陷反应方程式为( ).选项: A:Fi, B:Yi... C:Yca. D:Ca,Y
3.
在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3 杂质,则在1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23、电子的电荷e=1.602×10-19)
4.
三、计算题(10分)在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3 杂质,则在1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23、电子的电荷e=1.602×10-19)
5.
试写出少量MgO掺杂到A12O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷反应方程与对应的固溶式。
6.
在CaF2晶体中,弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV,肖特基缺陷形成能为5.5eV,若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质,则在1600度时,占优势的缺陷为杂质缺陷。 选项: A、正确 B、错误
7.
试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。写出每一方程对应的固溶式
8.
试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。 (a)判断方程的合理性。 (b)写出每一方程对应的固溶式。
9.
(1)分别写出少量CdO掺杂到Bi2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中可能的缺陷方程;(2)判断方程的合理性;(3)写出每一个缺陷方程对应的固溶体化学式。
10.
试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。(a)判断方程的合理性。(b)写出每一方程对应的固溶式。
11.
试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。(a)判断方程的合理性。(b)写出每一方程对应的固溶式。
12.
7、试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。(a)判断方程的合理性。(b)写出每一方程对应的固溶
13.
试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。(a)判断方程的合理性。(b)写出每一方程对应的固溶式。
14.
氯化银晶体中缺陷的主要形式为Frenkel缺陷Agi·和VAg’,间隙银离子更容易迁移,可能迁移方式有间隙扩散和亚晶格间隙扩散。( )选项: A:对 B:错
15.
写出下列缺陷反应式: YF3固溶于CaF2中形成填隙性固溶体;
16.
在UO2晶体中,O2-的扩散是按()进行的。 选项: A、掺杂点缺陷 B、空位 C、间隙 D、亚间隙机构
17.
氟化镧单晶膜氟离子选择电极的膜电位的产生是由于( )选项: A:氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子; B:氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构 ; C:氟离子穿透晶体膜而使膜内外氟离子产生浓度差而形成双电层结构; D:氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散而形成双电层结构
18.
在离子晶体中,如在局部区域形成Schottky缺陷,则这个区域中阳离子空位浓度与------相等 ( ) 选项: A、阴离子空位浓度 B、间隙阴离子浓度 C、间隙阳离子浓度
19.
晶体点缺陷分为空位、间隙原子、置换原子。 选项: A、对 B、错
20.
在离子晶体中,如在局部区域形成Schottky缺陷,则这个区域中阳离子空位浓度与 相等 选项: A、阴离子空位浓度 B、间隙阴离子浓度 C、间隙阳离子浓度 D、不确定
21.
在掺杂半导体中,多子的深度主要取决于( )。 选项: A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 晶体缺陷
22.
Frankel缺陷特点有() 选项: A、空位和间隙成对产生 B、正离子空位和负离子空位成对出现 C、晶体体积增大 D、晶体密度不变
23.
在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,且MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( )选项: A:热缺陷 B:杂质缺陷 C:相等 D:无法计算
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