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选项：
当受外界热和光的作用时，半导体的导电能力明显变化。#在纯净的半导体中掺入某些微量杂质，半导体的导电能力保持不变。#N型半导体是在纯净的半导体中掺入5价元素。#P型半导体呈电中性
发布时间：2024-06-13 15:56:43
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- 1.7、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体，掺入价元素的半导体称为N型半导体，掺入价元素的半导体称为P型半导体
- 2.在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为（ ）。选项： A:本征半导体; B:P型半导体; C:N型半导体; D:纯净半导体
- 3.p型半导体是纯净半导体中掺入少量三价元素。
- 4.在本征半导体中掺入三价杂质元素,可形成P型半导体；掺入五价杂质元素,可形成N型半导体（ ）
- 5.在纯净的硅晶体中掺入五价元素，形成的半导体为（ ）。选项： A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:无法确定
- 6.在纯净的硅晶体中掺入五价元素，形成的半导体为（ ）。 选项： A、无法确定 B、N型半导体 C、P型半导体 D、本征半导体
- 7.【填空题】杂质半导体分 型和 型半导体;在本征半导体中掺入 价的 元素,可形成 P 型半导体。在本征半导体中掺入 价的元素,可形成 N 型半导体。 型半导体的多子是空穴, 型半导体的多子是自由电子
- 8.纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，在纯硅或锗中掺入三价元素可形成 型半导体，掺入五价元素可形成 型半导体。
- 9.在本征半导体中掺入微量的杂质，形成（ ） 选项： A、杂质半导体 B、N型半导体 C、P型半导体 D、本征半导体
- 10.以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项： A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。; C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体依靠导带电子导电。; F:p型半导体依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。; K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 11.以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项： A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 12.在纯净的半导体中掺入杂质后导电能力会增强,电阻值会增大
- 13.简述半导体材料的基本性质？（1）热敏特性。随着环境温度的升高，半导体的导电能力增强。（2）光敏特性。有些半导体无光照时基本不导电，而一旦被光照后其导电能力增强。（3）掺杂特性。在纯净的半导体中掺入某些杂质元素，会使它的导电能力明显改变。
- 14.N型半导体是在本征半导体中掺入();P型半导体是在本征半导体中掺入()。
- 15.关于本征半导体，下列说法错误的是 选项： A:本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体 B:本征半导体导电能力很弱 C:本征半导体硅或者错中参入五价元素（比如磷），则变为N型半导体 D:在P型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴则是少数载流子
- 16.在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为（） 型半导体。A、P型半导体 B、N型半导体 C、T型半导体 D、其它 选项： A、P型半导体 B、N型半导体 C、T型半导体 D、其它
- 17.在纯净的半导体中掺入杂质后导电能力会增强，电阻值会增大 选项： A:正确 B:错误
- 18.半导体中掺入( )族元素，则可形成P型半导体，掺入（）族元素则可以形成N型半导体。
