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相关试题
- 1.设简单硅二极管基本电路如图所示,已知 R = 10k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 和 。 A.10mA ， 9.3mA ； 1mA ， 0.3mAB.10mA ， 0.93mA ； 1mA ， 0.03mAC.1mA ， 0.93mA ； 0.1mA ， 0.03mAD.10mA ， 1mA ； 9.3mA ， 3mA
- 2.设简单硅二极管基本电路如图 9 所示,已知 R = 1 k W 。当 V DD =10V 时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 - 和 - ;当 V DD =1V 时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流 I D 分别为 - 和 - 。A．10mA，9.3mA； 1mA，0.3mAB．10mA，1mA；9.3mA，3mAC．1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mAD．10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
- 3. 设简单硅二极管基本电路如图所示,已知R = 1kW。当VDD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为 和 ;当VDD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为 和 。 选项：A.10mA,9.3mA;1mA,0.3mAB.10mA,1mA;9.3mA,3mAC.1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mAD.10mA,0.93mA;1mA,0.03mA
- 4.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R =1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。（20.0分） 选项：10mA，1mA；9.3mA，3mA#1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA#10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA#10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
- 5.二极管基本电路如图所示，已知R=1kΩ。当VDD=10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流iD分别为和；当VDD=1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流iD分别为和。【图片】 A: 10mA，9.3mA；1mA，0.3mA B: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA C: 10mA，1mA；9.3mA，3mA D: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
- 6.二极管基本电路如图所示，已知R=1kΩ。当VDD=10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流iD分别为和；当VDD=1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流iD分别为和。【图片】 选项： A、10mA，9.3mA；1mA，0.3mA B、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA C、10mA，1mA；9.3mA，3mA D、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
- 7.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。[img=89x124]18032dca8fafbc3.jpg[/img] A: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA B: 10mA，1mA；9.3mA，3mA C: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA D: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
- 8.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。[img=89x124]18037e04c1b7b24.jpg[/img] A: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA B: 10mA，1mA；9.3mA，3mA C: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA D: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
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9.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项： A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA B、10mA，1mA；9.3mA，3mA C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
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10.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项： A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA B、10mA，1mA；9.3mA，3mA C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
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11.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项： A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA B、10mA，1mA；9.3mA，3mA C、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA D、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
- 12.二极管的恒压降模型，比理想模型更贴近实际情况。
- 13.以下哪个二极管等效电路模型适合分析开关电路:A.理想模型B.恒压降模型C.折线模型D.小信号模型
- 14.二极管的直流模型有哪些？选项： A:直流理想模型; B:直流折线模型; C:直流恒压降模型; D:直流指数模型; E:交流模型
- 15.电路如图所示，晶体管的β=50，rbb'=100Ω，UBEQ=0.7V，则电路的静态⼯作点IBQ，ICQ和UCEQ分别为（ ）。 选项： A:20µA,1mA,4.7V B:10µA,1mA,6V C:20µA,0.6mA,4.7V D:30µA,1.2mA,4.7V
- 16.在分压式工作点稳定共射放大电路中，当β=50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β=100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别为 。选项： A:10μA，1mA; B:20μA，2mA; C:30μA，3mA; D:40μA，4mA
- 17.应用网孔电流法，当5A的理想电流源位于网孔1和2的交界面时，列网孔的KVL方程时，电流源如何处理？选项： A:视作5V电压源; B:电压值视作0V; C:设出其上电压U; D:设其电流为I
