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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。
发布时间:
2024-06-28 13:13:54
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1.
电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于全控型电压驱动的器件是选项: A:电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET); B:电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中; C:门极可关断晶闸管(GTO)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT); D:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中
2.
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。选项: A:正确; B:错误
3.
对IGBT下列说法正确的是() 选项: A、IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B、IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
4.
变流系统中的电力电子器件都经历过从( )的发生过程。 选项: A、半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT) B、全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT) C、半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO) D、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)
5.
变流系统中的电力电子器件都经历过从( )的发生过程。选项: A:半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT); B:全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT); C:半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO); D:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)
6.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是: 选项: A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。 B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET快。 C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR快。 D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。
7.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:( ) 选项: A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。 B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快。 C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。 D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。
8.
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管() 选项:A、是 B、否
9.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是: 选项: A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。 B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快。 C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。 D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。
10.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:选项: A:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。; B:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快。; C:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。; D:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。
11.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:( )选项: A:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。; B:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快。; C:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。; D:绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。
12.
绝缘栅双极型晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的
13.
绝缘栅双极晶体管IGBT,将MOSFET与()的优点集于一身,是一种复合型电力半导体器件。A、GTRB、SCRC、TTLD、GTO
14.
电力MOSFET的导通原理是: 选项: A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。
15.
判断题:MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等优点。( )
16.
GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。 选项: A、GTO和GTR; B、TRIAC和IGBT; C、MOSFET和IGBT; D、SCR和MOSFET;
17.
IGBT是由双极型( )和绝缘栅型( )两部分组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
18.
下列电力电子器件中,属于全控型器件的是() 选项: A: 电力二极管; B: 绝缘栅双极晶体管(IGBT); C: 电力场效应管(电力MOSFET); D: 普通晶闸管
19.
在电力电子线路中,表示绝缘栅双极晶体管的文字符号为()选项: A:BJT; B:GTO; C:IGBT; D:GTR
20.
在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () 选项: A、MOSFET B、GTO C、IGBT D、GTR
21.
IGBT是一个复合型的器件,它是( )选项: A:GTR驱动的MOSFET B:MOSFET驱动的GTR C:MOSFET驱动的晶闸管 D:MOSFET驱动的GTO
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