请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 搜题小帮手 官方老师解答 )
答案：
以下文字与答案无关
提示：有些试题内容 显示不完整,文字错误 或者 答案显示错误等问题，这是由于我们在扫描录入过程中 机器识别错误导致,人工逐条矫正总有遗漏，所以恳请 广大网友理解。
相关试题
- 1.室温下，半导体 Si 中掺硼的浓度为 1014 cm－3 ，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3 的磷，则电子浓度 约为( )，空穴浓度为( )，费米能级( )；将该半导体升温至 570K，则多子浓度 约为( )，少子浓度为( )，费米能级（ I ）。（已知： 室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时， ni≈2×1017 cm－3） 选项： A: 1014cm－3 B: 1015cm－3 C: 1.1 D: 2.25×105 E: 1.2×1015cm－3 F: 2×1017cm－3 G: 高于 H: 低于
- 2.某一处于热平衡状态下的半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3，当温度为300 K时杂质已全部电离，已知本征载流子浓度为ni=1015 cm-3，则此温度下该半导体的电子和空穴浓度分别为 。 A: n0=2×1015 cm-3，p0=5×1017 cm-3 B: n0=5×1017cm-3，p0=2×1012 cm-3 C: n0=5×1017 cm-3，p0=2×1015 cm-3 D: n0=2×1017 cm-3，p0=5×1012 cm-3
- 3.1. 某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，有效空穴浓度为 cm^-3
- 4.已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5 eV，求300K时的离子迁移率为（ ）。 选项： A、1.24×10-10 cm2/s·V B、9.14×10-10cm2/s·V C、4.57×10-10 cm2/s·V D、6.19×10-11 cm2/s·V
- 5.对某细砂进行常水头渗透试验，土样的长度为10cm，土样的横截面积为86cm2，水位差为8cm,经测试在120s内渗透的水量为300cm3,求该土样的渗透系数（） 选项： A、4.63×10 -2cm/s B、3.93×10 -2cm/s C、3.83×10 -2cm/s D、3.63×10 -2cm/s
- 6.一个NPN型硅双极晶体管的面积是5×10-4cm2，T=300K，中性基区宽度xB=0.7μm，中性发射区宽度xE=0.50μm，均匀掺杂浓度分别为NE=5×1017cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3，其他的参数为DB=10cm2/s，DE=15cm2/s，τE0=τB0=5×10-7s， ΤC0=2×10-6s，假设晶体管工作于正向有源区，复合系数为δ=0.995。请计算基极电流IB=0.6μA情况下的集电极电流。
- 7. 一个n+多晶硅栅极NMOS晶体管，其氧化层厚度tox=20nm，衬底掺杂浓度Na=5E16 cm^-3，界面固定正电荷密度Qf=2E11 cm^-2，沟道长度L=1mm，宽度W=10mm，电子迁移率mn=950 cm^2/Vs，计算其阈值电压为（ ）V。（结果保留两位小数，Si的ni=1.45E10 cm^-3）
- 8.某砂土作常水头渗透试验，测得当渗流稳定时，渗透流量0.12cm3/s，土样高度为10cm，断面为30cm2，土样上下两点的水头差为2cm，则该砂土的渗透系数为 A: 0.02cm/s B: 0.002 cm/s C: 0.01 cm/s D: 0.012 cm/s
- 9.①在室温下，锗的有效态密度Nc=1.051019cm-3，NV=5.71018cm-3，试求锗的载流子有效质量m*m*。计算77K时的N 和N。已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K 时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ED为多少？7（.1）根据Nc2koTm32(________)2h2Nv2(2koTm3p)2得h2
- 10.超声波采用移动法时其移动速度通常为 选项： A: 0．5~1cm/s B: 1~2cm/s C: 2~3cm/s D: 3~3．5cm/s E: 2．5~3cm/s
- 11.已知p型砷化镓材料，掺杂浓度为Na=5*10^16 cm^-3, Nd=4*10^15 cm^-3，T=300K时，费米能级相对于价带顶的位置。
- 12.计算含有施主杂质浓度为ND=9⨯1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1⨯1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
- 13.计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
- 14.在常水头渗透试验中，已知试样的厚度为15 cm，横截面积为70 cm2。当上下底面的水头差为5 cm时，一分钟内流经试样的水量为90 ml，则该土样的渗透系数为（ ）cm/s。 选项： A:6.43×10-3 ; B:6.43×10-2 ; C:3.86×10-3 ; D:3.86×10-2
- 15. 声波透射法检测中，已知水的阻抗 ZW=14.8×104 g/ （cm 2 ·s）, 混凝土的阻抗为 ZC=108×104 g/(cm2·s)，求声测 管的阻抗 Zt为多大时，声能量的透过系数量大？（） 选项： A:38×103 g/(cm2·s) B:10×103 g/(cm2·s) C:40×103 g/(cm2·s) D:38×104 g/(cm2·s) E:10×104 g/(cm2·s) F:40×104 g/(cm2·s)
- 16.单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（ ）。A.1.34×109/cm3B.6.7×108/cm3C.2.2×109/cm3D.1.1×109/cm3
