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单晶没有晶界,抗蠕变的性能比多晶材料好。
选项:
A:对
B:错
单晶
发布时间:
2024-06-04 10:48:18
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1.
单晶没有晶界,抗蠕变的性能比多晶材料好
2.
材料的蠕变变形机理主要有 和晶界滑动蠕变机理。 选项: A、微孔聚集机理、空位聚集机理 B、位错滑移蠕变机理、位错孪生蠕变机理 C、扩散蠕变机理、位错滑移蠕变机理 D、晶界滑动与应力集中机理、空位聚集机理
3.
金属材料的高温蠕变还存在一个异于常温下的变形机制,就是晶界滑动造成材料蠕变,也就是高温下,晶界上的原子易扩散,受力后发生滑动,促进蠕变。选项: A:对 B:错
4.
5.2 蠕变行为分为高温蠕变、晶界滑移蠕变和位错蠕变等。
5.
单晶硅、多晶硅、非晶硅从迁移率而言() 选项: A、单晶>多晶>非晶 B、单晶>非晶>多晶 C、多晶>单晶>非晶 D、多晶>非晶>单晶
6.
单晶、球晶、树枝晶、串晶等都是多晶体。 ( )选项: A:对 B:错
7.
硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅,载流子迁移率最大的是( )?选项: A:非晶硅; B:微晶硅; C:多晶硅; D:单晶硅
8.
晶界运动蠕变机理认为,晶界的运动方式有( )。选项: A:晶界滑动 ; B:晶界沿着法线方向迁移 ; C: 晶界转动 ; D:晶界沿着拉伸方向迁移
9.
晶界滑动蠕变,是在高温条件下由于大量原子和空位作定向移动造成的。 选项: A:对 B:错
10.
蠕变发生的机理是()选项: A:位错攀移; B:晶界滑动; C:位错滑移; D:空位扩散
11.
扩散蠕变是在较高温度下,由于晶界上的原子易于扩散,受力后易产生滑动。 选项: A:对 B:错
12.
陶瓷材料的主要优缺点是() A: 硬度高/塑性低 B: 硬度高/熔点低 C: 塑性好/易蠕变 D: 抗蠕变/刚度低
13.
晶界运动蠕变机理表明,晶界的滑动主要是( )引起。 选项: A、晶粒纯弹性畸变 B、空位定向扩散 C、 原子定向扩散 D、晶界迁移
14.
应力较低时,温度越高、晶粒度越小,晶界滑动对蠕变的作用越小。 选项: A、正确 B、错误
15.
用于太阳能电池的半导体材料有() 选项: A、A单晶硅 B、B多晶硅 C、C非晶硅 D、D微晶硅
16.
蠕变断裂的裂纹成核和扩展过程中,晶界滑动引起的应力集中与空位的扩散起重要作用。选项: A:对 B:错
17.
试述晶态、非晶态、准晶、多晶和单晶结构特征。
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