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区熔法不需要坩埚,可制备高纯单晶,可分为水平区熔和悬浮区熔,区熔单晶硅棒具有更好的固有纯度。
发布时间:
2024-06-04 19:56:09
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1.
区熔法比直拉法制备的单晶硅纯度低 选项: A:正确 B:错误
2.
单晶硅的制作可采用直拉法、悬浮区熔法。( )选项: A:对 B:错
3.
常见的制备单晶硅的方法有 选项:A.直拉法(CZ) B.悬浮区熔法(FZ) C.蒸发 D.溅射
4.
晶体生长所用的熔体生长法包括( )A.提拉法B.坩埚下降法C.区熔法D.焰熔法
5.
区熔硅单晶的掺杂方法主要有( )。
6.
简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。
7.
焊缝形状是指工件熔化区横截面的形状,可用( )来描述。选项: A:熔深; B: 熔宽 ; C:熔长; D:余高
8.
焊缝形状是指工件熔化区横截面的形状,可用( )来描述。选项: A:熔深; B: 熔宽 ; C:熔长; D:余高
9.
CZ法又称为 选项: A:直拉法 B:区熔法 C:铸锭法
10.
直熔法制备多晶硅需要()坩埚
11.
晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是 选项: A、直拉法 B、布里奇曼法 C、区熔法 D、真空蒸发法
12.
玻璃熔制过程中,窑内最高温度位于 。选项: A:硅酸盐形成区; B:玻璃形成区; C:澄清、均化区; D:冷却区
13.
软胶囊制备方法常用的有滴制法、压制法和热熔法。() 选项:A、软胶囊制备方法常用的有滴制法、压制法和热熔法。()
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