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在提拉法晶体生长中,为了控制所生长单晶的直径,应如何调节晶体生长条件?
直径
晶体生长
单晶
发布时间:
2024-06-04 19:32:52
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1.
以下哪项不是单晶提拉法的优点()。选项: A:可以方便观察晶体生长过程; B:可以避免晶体在坩埚壁上寄生形核; C:晶体直径可控; D:籽晶可以采用多晶
2.
晶体生长
3.
结晶过程包括在三个步骤: ( )A、形成过饱和溶液、晶体生长和重结晶B、晶核形成、形成过饱和溶液和晶体生长C、、晶核形成、晶体生长和重结晶D、形成过饱和溶液、晶核形成和晶体生长
4.
水热法晶体生长是在水溶液中生长晶体的方法。A.正确B.错误
5.
结晶过程包括在三个步骤:A.形成过饱和溶液、晶体生长和重结晶B.晶核形成、晶体生长和重结晶C.晶核形成、形成过饱和溶液和晶体生长D.形成过饱和溶液、晶核形成和晶体生长
6.
水热条件下晶体生长包括以下哪几个步骤()
7.
(单选)晶体生长的主要方式是
8.
试分析影响晶体生长的条件及影响结晶糖量的因素。
9.
晶体生长模型主要有( )。(多选题)
10.
晶体生长模型主要有选项: A:层生长; B:螺旋生长; C:固-液转变生长; D:固-固转变生长
11.
晶体生长模型主要有选项: A:层生长; B:螺旋生长; C:固-液转变生长; D:固-固转变生长
12.
晶体生长模型主要有选项: A:层生长; B: 螺旋生长; C:液-固转变生长; D:气-固转变生长
13.
晶体生长模型主要有 选项: A、层生长 B、螺旋生长 C、液-固转变生长 D、气-固转变生长
14.
晶体生长模型主要有选项: A:层生长; B: 螺旋生长; C:液-固转变生长; D:气-固转变生长
15.
结晶步骤包括:饱和溶液的形成、晶核的形成和晶体生长。A.正确B.错误
16.
结晶的步骤包括( )选项: A:过饱和溶液; B:形成晶核; C:晶体生长; D:溶质溶解
17.
晶体生长是固液界面不断地向液相推移的过程。 选项: A:对 B:错
18.
晶体生长技术主要有哪几种方法?()A.熔体生长法B.溶液生长法C.坩埚下降法
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