关于扩散电容,正确的是
选项：
A:扩散电容是少子电容
B:扩散电容与扩散运动有关
C:结反偏时,扩散电容没有定义
D:扩散电容与电荷存储有关
E:与扩散电容有关的少子存储是限制结开关速度的主要因素
发布时间：2024-06-24 22:16:26
请在 下方输入 要搜索的题目：
关于扩散电容,正确的是
推荐参考答案 (
由 搜题小帮手 官方老师解答 )
答案：
以下文字与答案无关
提示：有些试题内容 显示不完整,文字错误 或者 答案显示错误等问题，这是由于我们在扫描录入过程中 机器识别错误导致,人工逐条矫正总有遗漏，所以恳请 广大网友理解。
相关试题
- 1.势垒电容、扩散电容与外加电压有关。()
- 2.由于外加偏压的改变，pn结的空间电荷区宽度发生变化，该现象称为pn结的（）。选项： A:结电容; B:扩散电容; C:漂移电容; D:结电容+扩散电容
- 3.下面关于扩散电容描述错误的是 选项： A、与势垒电容相比,扩散电容存在于正偏下,势垒电容在正偏与反偏下都存在 B、当正偏电压有一个电压增量时,P区扩散区出现负电荷电子的增量,也有会相同数量的非平衡空穴从P区欧姆接触区流入到扩散区以维持电中性 C、对于单边突变结,扩散电容的电荷主要存储在重掺杂区的非平衡载流子电荷 D、若不是单边结,P区与N区各有一对大小相等,符号相反的非平衡载流子电荷的存储
- 4.PN结的结电容有势垒电容和扩散电容
- 5.PN结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。
- 6.在pn结加大的正向偏压，扩散电容起主要作用。（ ） 选项： A、正确 B、错误
- 7. PN结的结电容可分为（ ）。 A: 漂移电容 B: 扩散电容 C: 势垒电容 D: 耗尽电容
- 8.关于PN结，说法不正确的是选项： A:PN结始终具有整流特性; B:平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷 区是由施主杂质离子构成的; C:正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主(; D:PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
- 9.PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 选项： A:多子扩散而成 B:多子漂移而成 C:少子扩散而成 D:少子漂移而成
- 10.PN结加正向电压时，其正向电流是（）。 选项： A、多子扩散而成 B、少子扩散而成 C、少子漂移而成 D、多子漂移而成
- 11.PN结加正向电压时，其正向电流是( )。 选项： A:多子漂移而成 B:少子漂移而成 C:多子扩散而成 D:少子扩散而成
- 12.二极管正向导通时，其PN结存储电荷，存储电荷与正向电流有关。
- 13.PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 选项： A:多子扩散而成 B:少子扩散而成 C:多子漂移而成
- 14.关于PN结的导电，下列叙述不正确的是. 选项： A:PN结加的正向电压够大时，多子的扩散比少子的漂移占优势 B:PN结加反向电压时，少子的漂移比多子的扩散占优势 C:PN结加正向电压时，P区一侧应接高电位，N区一侧应接低电位 D:PN结加反向电压时，P区一侧应接高电位，N区一侧应接低电位
- 15.电容器容量与电荷关系是( )。 选项： A: 电容量越大，存储电荷越少 B: 电容量越大，存储电荷越多 C: 电容量越小，存储电荷越多
- 16.反偏电压抑制少子的漂移运动。
- 17.双极型晶体三极管工作在放大区的条件是选项： A:e结正偏, c结正偏; B:e结反偏, c结正偏; C:e结正偏, c结反偏; D:e结反偏, c结反偏
