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耗尽型MOS管在栅源偏压为0时的导电能力是最强的。
A:正确
B:错误
错误
导电
偏压
发布时间:
2024-05-11 23:14:07
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1.
耗尽型MOS管在栅源偏压为0时导电能力最强。选项: A:正确; B:错误
2.
耗尽型MOS管在栅源偏压为0时的导电能力是最强的。选项: A:正确; B:错误
3.
耗尽型MOS管在栅源偏压为0时的导电能力是最强的。 选项: A、正确 B、错误
4.
JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道 而增强型MOS管则______导电沟道。 A.存在 B.不存在
5.
栅源电压为0时,漏源之间存在导电沟道的称为_____MOS管。A.耗尽B.增强
6.
【单选题】当栅源电压为0V时,【】MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A. P沟道增强型 B. P沟道耗尽型 C. N沟道耗尽型 D. N沟道增强型
7.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
8.
以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区? ( ): N沟道增强型MOS管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道耗尽型MOS管/#/结型场效应管
9.
当栅源电压为0V时,()MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型
10.
当栅源电压Vgs为 0V 时, _______MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
11.
当栅源电压Vgs为 0V 时, _MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
12.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.P 沟道耗尽型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道增强型
13.
【判断题】耗尽型MOS管在栅源电压 为正或负时均能实现压控电流的作用
14.
当栅源电压大于开启电压时N沟道增强型MOS管形成导电沟道
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