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- 1.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是（ ）。选项： A:信息可读可写，并且读、写速度一样快; B:存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器; C:掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器; D:采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
- 2.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是。（ ）选项： A:信息可读可写，并且读、写速度一样快 B:存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器 C:掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器 D:采用随机访问方式，可替代计算机中的外部存储器
- 3.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是A.信息可读可写，并且读、写速度一样快B.存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
- 4.下列关于闪存的叙述中，错误的是（ ）? 掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器|采用随机访问方式，可代替计算机外部存储器|信息可读可写，读写速度一样快|存储单元由MOS管构成，是一种半导体存储器
- 5.下列关于闪存的叙述中，错误的是（ ）? 掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器采用随机访问方式，可代替计算机外部存储器信息可读可写，读写速度一样快存储单元由MOS管构成，是一种半导体存储器
- 6.下列关于闪存（Flash Memory）的叙述中，错误的是（）选项： A:信息可读可写，并且读、写速度一样快; B:存储元是一种半导体存储器，擦写次数有限; C:掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器; D:采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
- 7.下列关于闪存的叙述中，错误的是（） 选项： A、信息可读可写，读写速度一样快 B、存储单元由MOS管构成，是一种半导体存储器 C、掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器 D、采用随机访问方式，可代替计算机外部存储器
- 8.以下关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是（2）。 选项： A:掉电后信息不会丢失，属于非易失性存储器 B:以块为单位进行刷除操作 C:采用随机访问方式，常用来代替主存 D:在嵌入式系统中用来代替 ROM 存储器
- 9.以下关于闪存（Flash Memory）的叙述中，错误的是 ( ) 选项： A:掉电后信息不会丢失，属于非易失性存储器。 B:以快为单位进行删除操作。 C:采用随机访问方式，常用来代替主存。 D:在嵌入式系统中可以用Flash
- 10.下面有关ROM和RAM的叙述中，错误的是（ ）。选项： A:ROM和RAM都采用随机访问方式进行读写; B:计算机系统的主存都用DRAM芯片实现; C:RAM是可读可写存储器，ROM是只读存储器; D:计算机系统的主存由RAM和ROM组成
- 11.下列有关RAM和ROM的叙述中， 正确的是（ ）。选项： A:RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器; B:RAM和ROM都采用随机存储方式进行信息访问; C:RAM和ROM都可用作cache; D:RAM和ROM都需要刷新
- 12.下述说法中 是正确的选项： A:半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的 B:半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保待记忆 C:半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM只有在电源不掉电时，所存信息是不易失的 D:其余都不对
- 13.闪存是一种长寿命的非易失性存储器。 选项： A:正确 B:错误
- 14.随机存储器RAM具有( )功能。选项： A:可读可写; B:不可读不可写; C:只读; D:只写
- 15.下述说法中是正确的。A半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B半导体RAM是易失性RAM而静态RAM中的存储信息是不易失的C半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉时,所存信息是不易失的
