在Al2O3晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为5.5eV，肖特基缺陷形成能为2.8eV，若该晶体中还含有百万分之一的ZrO2杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为热缺陷。
A: 正确
B: 错误
发布时间：2024-06-15 20:55:19
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在Al2O3晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为5.5eV，肖特基缺陷形成能为2.8eV，若该晶体中还含有百万分之一的ZrO2杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为热缺陷。
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- 1.在CaF2晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV，肖特基缺陷形成能为5.5eV，若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为杂质缺陷。选项： A:正确; B:错误
- 2. 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？（）
- 3.在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，且MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( )选项： A:热缺陷 B:杂质缺陷 C:相等 D:无法计算
- 4.在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中杂质缺陷占优势？( )
- 5.在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中杂质缺陷占优势？( )选项： A:对 B:错
- 6.若在NaCl晶体中，含有百万分之二的CaCl2杂质，则在800度时，NaCl晶体中占优势的缺陷是 ？已知在NaCl晶体中，肖特基缺陷的形成能为2.4eV。
- 7.2、(a)Mgo晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25°C和1600·时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有×106mol1的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。(15分
- 8.在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3 杂质,则在1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23、电子的电荷e=1.602×10-19)
- 9.三、计算题(10分)在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3 杂质,则在1600℃时CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?(玻尔兹曼常数k=1.38×10-23、电子的电荷e=1.602×10-19)
- 10.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A: 2.21×10-24 B: 1.33×10-31 C: 1.72×10-4 D: 1.41×10-5
- 11.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ）A．1.33×10-31B．2.21×10-24C．1.72×10-4D．1.41×10-5
- 12.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？ （ ） 选项： A、2.21×10-24 B、1.33×10-31 C、1.72×10-4 D、1.41×10-5
- 13.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？ （ ） A: 2.21×10-24 B: 1.72×10-4 C: 1.33×10-31 D: 1.41×10-5
- 14.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？ （ ） 选项： A、2.21×10-24 B、1.72×10-4 C、1.33×10-31 D、1.41×10-5
- 15.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A: 1.33×10-31 B: 1.41×10-5 C: 1.72×10-4 D: 2.21×10-24
- 16.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这种缺陷称为（ ）。选项： A:肖特基缺陷 B:弗伦科尔缺陷 C:线缺陷 D:点缺陷
- 17.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为______。（） 选项： A、肖特基缺陷(Schottky defect) B、弗仑克尔缺陷(Frenkel defect) C、间隙缺陷(interstitial defect)
