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相关试题
- 1.关于非化学计量化合物的描述不正确的是选项： A:非化学计量化合物不符合定比定律; B:缺陷的种类与气氛性质有关; C:缺陷浓度与温度无关; D:非化学计量化合物都是半导体
- 2.非化学计量化合物产生与缺陷浓度与下列（ ）因素无关。选项： A:气氛性质; B:压力; C:温度; D:杂质
- 3.非化学计量化合物中，缺陷的产生及其浓度仅与气氛性质和气氛压力有关。选项： A:正确; B:错误
- 4.非化学计量化合物的产生及其缺陷浓度与所处气氛性质、分压大小有关。选项： A:正确; B:错误
- 5.化合物Cu2-xO由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是____，属于金属离子缺位型非化学计量化合物。
- 6.139.非化学计量化合物结构缺陷也是一种杂质缺陷。
- 7.非化学计量化合物结构缺陷也是一种杂质缺陷。选项： A:正确; B:错误
- 8.非化学计量化合物结构缺陷也是一种杂质缺陷。( ) 选项： A:正确 B:错误
- 9.非化学计量化合物的特点。
- 10.非化学计量缺陷
- 11.非化学计量化合物Zn1+xO，由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是 选项： A、阳离子填隙 B、阳离子空位 C、阴离子填隙 D、阴离子空位
- 12.非化学计量化合物Cd1+xO，由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是（ ）。 选项： A、负离子空位 B、间隙正离子 C、正离子空位 D、间隙负离子
- 13.非化学计量化合物【图片】，由于在组成上偏离化学计量而产生的晶体缺陷是（）型 选项： A、阴离子缺位 B、阳离子填隙 C、阳离子缺位 D、阴离子填隙
- 14. 氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）
- 15.在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为（）。 选项： A、1/6 B、-1/6 C、1/4 D、-1/4
- 16.非化学计量化合物TiO2-x，由于在组成上偏离化学计量而产生的晶体缺陷是（ ）型选项： A:阴离子空位; B:阳离子空位; C:阴离子填隙; D:阳离子填隙
- 17.非化学计量化合物TiO2-x，由于在组成上偏离化学计量而产生的晶体缺陷是（ ）型 选项： A、阴离子空位 B、阳离子空位 C、阴离子填隙 D、阳离子填隙
- 18.非化学计量化合物TiO2-X，由于在组成上偏离化学计量而产生的晶体缺陷是（ ）型选项： A:阴离子空位; B:间隙阳离子; C:阳离子空位; D:间隙阴离子
- 19.氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO 。（ ）选项： A:对 B:错
- 20.氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阴离子填隙（MaXb+y）型非化学计量化合物1/2O2(g)= Oi’’+2h•（ ）选项： A:对 B:错
- 21.还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）选项： A:对 B:错
- 22.非化学计量化合物ZrO2-x,由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷的类型分别是() 选项： A、阴离子空位型 B、阳离子间隙型 C、阳离子空位型 D、阴离子间隙型
- 23.非化学计量化合物UO2+X，由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷的类型分别是（）选项： A: 阴离子空位型 B:阳离子间隙型 C:阳离子空位型 D:阴离子间隙型
