半导体材料具有放电单向导通特性，并且随着电阻率及加工对象体积的增加，该特性愈加明显。半导体放电加工的装夹端和放电端都存在势垒，电路结构可以等效为二极管。目前P型硅需要采用正极性加工。（ ）
选项：
A:对
B:错
发布时间：2024-05-09 19:43:20
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半导体材料具有放电单向导通特性，并且随着电阻率及加工对象体积的增加，该特性愈加明显。半导体放电加工的装夹端和放电端都存在势垒，电路结构可以等效为二极管。目前P型硅需要采用正极性加工。（ ）
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- 1.半导体材料具有放电单向导通特性，并且随着电阻率及加工对象体积的增加，该特性愈加明显。半导体放电加工的装夹端和放电端都存在势垒，电路结构可以等效为二极管。目前N型锗需要采用正极性加工。（ ）选项： A:对 B:错
- 2.电火花加工时，粗加工的放电间隙比精加工的放电间隙小。选项： A:对 B:错
- 3.OTL电路输出端必须串接大容量的电容器，它起到将单电源功放电路等效为双电源功放电路的作用。
- 4.某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是（）型半导体。【填写“N”或“P”】
- 5.OTL电路输出端必须串接大容量的电容器，它起到将单电源功放电路等效为双电源功放电路的作用。选项： A:正确; B:错误
- 6.电火花加工时,工件接脉冲电源的负极,称为( )A、放电加工B、正极性加工C、负极性加工
- 7.电火花加工时，粗加工的放电间隙比精加工的放电间隙小。
- 8.下列方法中可以实现非导体材料电火花加工的是（ ）。选项： A:高压辉光放电加工法 B:大电流加工法 C:电解电火花放电复合加工法 D:辅助电极法进行加工
- 9.硅半导体材料温度特性比锗半导体材料温度特性好（ ） 选项：A:对 B:错
- 10.电火花加工时，粗加工的放电间隙比精加工的放电间隙小 A: 正确 B: 错误
- 11.电火花加工时，粗加工的放电间隙比精加工的放电间隙小选项： A:正确; B:错误
- 12.(判断题)电火花加工时，粗加工的放电间隙比精加工的放电间隙小。 选项： A:正确 B:错误
- 13.电火花加工是利用两电极之间脉冲放电时产生的（）对工件材料进行加工的方法。 选项： A、电蚀现象 B、腐蚀现象 C、放电现象 D、电解现象
- 14.下列方法中不能实现非导体材料电火花加工的是（ ）。选项： A:高压辉光放电加工法 B:大电流加工法 C:电解电火花放电复合加工法 D:辅助电极法进行加工。
- 15.线切割加工属于 选项：放电加工|电弧加工|切削加工|特种加工
- 16.下列方法中不能实现非导体材料电火花加工的是（ ）。A.辅助电极法进行加工。B.电解电火花放电复合加工法C.高压辉光放电加工法D.大电流加工法
- 17.在电火花加工中，为使脉冲放电能连续进行，必须靠（）的进给和（）来保证放电间隙。
- 18.电火花加工又称为 或放电加工
- 19.电火花线切割加工属于( )。 选项：放电加工|特种加工|电弧加工|切削加工
- 20.电火花加工属于( )。A、放电加工B、电解加工C、电弧加工D、切削加工
- 21.下列关于电火花加工的表述不正确的是（ ）。 选项： A、电火花加工中工件和工具之间的受力还是比较明显的 B、电火花加工一次放电蚀除量其实很少 C、电火花加工依靠的是电能 D、电火花加工火花放电瞬间产生大量热能
- 22.异质结两端半导体材料可以同为n型半导体。选项： A:对 B:错
