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设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
电路
电压
断定
发布时间:
2024-04-21 08:54:20
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1.
设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区
2.
中国大学MOOC:"设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。";
3.
设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。选项: A:正确; B:错误
4.
设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。 选项: A、正确 B、错误
5.
设MOS管的VTN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在恒流区。
6.
设MOS管的VPN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
7.
设MOS管的VTN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在恒流区。选项: A:正确; B:错误
8.
设MOS管的VTP=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。
9.
设MOS管的VPN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。 选项: A、正确 B、错误
10.
设MOS管的VPN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。A.正确B.错误
11.
设MOS管的VPN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。选项: A:正确; B:错误
12.
设MOS管的VTP=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。选项: A:正确; B:错误
13.
设MOS管的VTP=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。 选项: A、正确 B、错误
14.
设MOS管的VTN=1.5V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=1V时,可以断定该MOS管工作在可变电阻区。选项: A:正确; B:错误
15.
中国大学MOOC:"设MOS管的VTP=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。";
16.
设MOS管的VTP=-1.5V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在可变电阻区。选项: A:正确; B:错误
17.
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 选项: A、vGS 大于VTN ,并且vDS
vGS-VTN C、vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D、vGS 小于VTN ,并且vDS
18.
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 选项: A、vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B、vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C、vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D、vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
19.
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
20.
NMOS管工作在饱和区的条件是( )。选项: A:VGS
VTN且VDS< (VGS-VTN ); C:VGS
(VGS-VTN ); D:VGS>VTN且VDS>(VGS-VTN )
21.
当栅源电压VGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有:选项: A:结型管 B:增强型MOS管 C:耗尽型MOS管
22.
以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区? ( ): N沟道增强型MOS管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道耗尽型MOS管/#/结型场效应管
23.
以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区? ( )选项: A:N沟道增强型MOS管 B:P沟道增强型MOS管 C:结型场效应管 D:P沟道耗尽型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管
24.
N沟道增强型MOS管,当VGS < VGS(th) 时,漏极电流ID = ______。
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