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- 1.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。 选项： A、截止 B、饱和 C、已损坏 D、放大
- 2.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。选项： A:饱和 B:已损坏 C:放大 D:截止
- 3.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。 A: 截止 B: 饱和 C: 已损坏 D: 放大
- 4.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。选项： A:截止 B:饱和 C:放大 D:已损坏
- 5.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V,VE =0V,VC=12V,则该管工作在( )状态。 选项： A:放大 B:已损坏 C:截止 D:饱和
- 6.5、测得BJT各极对地电压为VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，则该管工作在（）状态。 选项：A:截止|B:饱和|C:放大|D:已损坏
- 7.测得BJT各极对地电压为VB=1.8V，VE=OV，VC=12V，则该管工作在()状态。 选项：A.截至 B.饱和 C.放大 D.已损坏
- 8. 测得晶体管各极对地电压为VB=4V，VC=3．6V，VE=3．4V，则该晶体管工作在（ ）状态。 选项： A、 截止 B、 饱和 C、 放大 D、 无法确定
- 9.测量若干硅BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是______。 选项： A: （a）VC＝6V VB＝0.7V VE＝0V B: （b）VC＝6V VB＝2V VE＝1.3V C: （c）VC＝6V VB＝6V VE＝5.4V D: （d）VC＝6V E: （e）VC＝3.6V VB＝4V VE＝3.4V
- 10.(多选题)测量若干硅BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是______。 选项： A:（a）VC＝6V，VB＝0.7V，VE＝0V B:（b）VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V C:（c）VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.4V D:（d）VC＝6V E:（e）VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V
- 11. 测量若干硅BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________。 选项： A、 VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V B、 VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V C、 VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V D、 VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.4V
- 12.测量若干硅BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________。选项： A:VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V; B:VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.6V; C:VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V; D:VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V
- 13.测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是（）。 选项： A:VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V B:VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.6V C:VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V D:VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V
- 14.测量若干硅PNP型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________选项： A:VC＝-6V，VB＝-6V，VE＝-5.6V; B:VC＝-6V，VB＝-4V，VE＝-3.6V; C:VC＝-3.6V，VB＝-4V，VE＝-3.4V; D:VC＝-6V，VB＝-2V，VE＝-1.3V; E:VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V
- 15.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE=3V,VB=3.7V,VC=3.3V,则该管工作在()。 选项：放大区#饱和区#截止区#击穿区
- 16.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地直流电位分别为VE=3V,VB=3.7V,VC=3.3V,则该管工作在( )A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、击穿区。
- 17.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE=3V，VB=3.7V，VC=3.3V，则该管工作在( )。A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区
- 18.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（ ）。 选项： A:A．放大区 ; B: B．饱和区; C: C．截止区; D:D．击穿区
